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2017-06-06 发布于北京
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(Ce0.9Nd0.1)1-xMoxO2-δ(0.00≤x≤0.10)的合成、表征与电性能.pdf

物理化学学报(Wuli Huaxue Xuebao) July A cta Phys. Chim. Sin., 2009, 25(7) ：1415-1420 1415 [Article] (Ce Nd ) Mo O (0.00 x 0.10)的合成、表征与电性能 0.9 0.1 1-x x 2- 燕杰1 周德凤1 * 孟健2 * (1 春工业大学化学与生命科学学院, 长春 130012; 2 中国科学院春应用化学研究所, 稀土化学与物理国家重点实验室, 长春 130022) 摘要：采用溶胶凝胶法合成(Ce Nd ) Mo O (x=0.00 、0.02 、0.05 、0.10)氧化物, 通过X 射线衍射(XRD) 、场发 0 9 0 1 1-x x 2- 射扫描电镜(FESEM)等手段对氧化物进行结构表征, 交流阻抗谱测试电性能. 结果表明: 所有样品均为单一萤石立方结构; 少量MoO3 的加入提高了材料的致密性, 降低了材料的电阻、晶界电阻和晶界电阻在电阻中所占比例, 提高了材料的电导率. 1200 益烧结样品24 h, 测试温度700 益时, (Ce Nd ) Mo O (x=0.00) 电导率和晶 0 9 0 1 1-x x 2- 界电导率分别为0.05 和0.19 S ·m-1, 掺Mo 材料(Ce Nd ) Mo O (x =0.02) 的电导率和晶界电导率分别为 0 9 0 1 1-x x 2- 2.42 和3.96 S ·m-1. 关键词：钕掺杂氧化铈; 氧化钼; 微观结构; 晶界电导率中图分类号： O649 Synthesis, Characterization and Electrical Properties of (Ce Nd ) Mo O (0.00 x 0.10) 0.9 0.1 1-x x 2- XIA Yan Jie1 ZHOU De