宽带隙Cu(In,Al)Se2薄膜的制备及表征.pdfVIP

V01．32 高等学校化学学报 No．12 CHEMICALOFCH矾ESEUNn呢RSnlES 2739～2742 2011年12月 JOURNAL 宽带隙Cu(In，A1)Se2薄膜的制备及表征 黄灿领，胡彬彬，王广君，李洪伟，龚时江，杜祖亮 (河南大学特种功能材料教育部重点实验室，开封475004) 摘要以特殊脉冲电沉积方法制备CuInSe：(cIs)前驱体薄膜，通过真空蒸镀法在cIs薄膜上沉积m膜，经 能谱(EDs)、x射线衍射(xRD)、x射线光电子能谱(Ⅺ，S)、紫外-可见吸收光谱(uV．Vi8)对其形貌、结构、 成分及光学吸收性质进行了表征．结果表明，制备的cIAs薄膜颗粒均匀，表面平整致密，呈黄铜矿结构．薄 膜在可见光区具有良好的吸收，带隙约为1．65“． 关键词特殊脉冲电沉积；真空蒸镀；cuInSe：薄膜；cu(InAl)Se：薄膜 中图分类号0613．5 文献标识码A 文章编号025l明90(2011)12_2739JD4 比例，可以实现其禁带宽度在1．0～1．7eV范围内的连续可调，使其与太阳光谱的能量分布更加匹配． 目前，CIGS基薄膜太阳能电池在实验室中的最高转化效率已达20．3％旧J，是现有薄膜太阳能电池中 转化效率最高、最具前景的体系之一，受到了人们的广泛关注．然而Ga的价格高昂，活性较低，使得 cIGs薄膜的制备难度大，成本高，限制了cIGs基薄膜太阳能电池的大规模应用．相对于Ga，其同族 元素Al无论是在储量和价格上都具有明显的优势，以Al替代价格高昂的Ga开发cu(In，m)se： 阳能电池的实验室最高效率达到了16．9％【3J．根据理论计算预测，CIAS薄膜太阳能电池的转化效率 可达42％【4J．因此，探索合适的宽带隙cIAs薄膜制备方法，对于发展低成本、高效能cIAS薄膜太阳 能电池具有重要意义． 目前cIAs薄膜的制备方法主要有磁控溅射瞪J、热蒸发M1和三步蒸发o¨等方法．但这些方法均不 同程度地存在着设备复杂、真空要求较高、不易实现元素配比的精确控制、难以保证较大面积薄膜的 均匀性、原料利用率较低等一系列问题．电沉积方法是一种经济实用、极具工业化前景的cuInse： (cIs)薄膜制备方法隅]．我们实验室通过引入钟形波调制的方波脉冲电源归J，以恒电流模式电沉积制 备出了cIS薄膜，通过对沉积电流、时间、占空比和频率的调节，达到对不同元素沉积速率的控制，实 现了薄膜元素含量、形貌和结构的有效调控．本文利用特殊脉冲电沉积方法制备出cIs前驱体薄膜， 以蒸镀方式引入掺杂的m元素．经过500℃硒化退火，制备出具有黄铜矿结构特征的CIAS薄膜．该 薄膜形貌均匀，在可见光区具有良好的光学吸收性质． 1 实验部分 1．1试剂与仪器 硫酸铟(纯度99．9％，天津市德蓝精细化工厂)；无水硫酸铜(纯度99．9％，上海亭新化工试剂 厂)；亚硒酸(分析纯，天津市巴斯夫化工有限公司)；柠檬酸钠(分析纯，天津市科密欧化学试剂有限 公司)；硒粉(成都市科龙化工有限公司)．实验用水为三次蒸馏再经MiⅡi—Q系统处理的去离子水． 收稿日期：20ll埘北． 基金项目：国家自然科学基金(批准号：1008740柏)、教育部科技创新工程重大项目培育资金项目(批准号：708062)和河南省科技 创新杰出人才基金(批准号：114200510015)资助． 联系人简介：杜祖亮，男，博士，教授，博士生导师，主要从事纳米结构材料与器件研究．E·mail：zld@h∞u．edu．aI 高等学校化学学报 样r目，形貌采用日本电子株式会社JsM-5600 LV型扫描电子显微镜(sEM)进行表征；样品成分含量 Pro 15406 x射线衍射仪进行，测试条件为cu地辐射，波长0 nm，亍J描范围为20。～80。，电压为40kv， 电流为40mA；样品表面成分分析采用英国Kratos公司AⅪs