沙林酸印迹聚邻苯二胺纳米膜制备及结构表征.pdfVIP

沙林酸印迹聚邻苯二胺纳米膜制备及结构表征.pdf

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物理化学学报( ) !#$ %’( )(*+ , (): !# ,-. /0123 450$63 7$8 $% !# $% !# ’ !( )*+, 沙林酸印迹聚邻苯二胺纳米膜制备及结构表征! 左言军 余建华 黄启斌 赵建军 潘 勇 林 原3 ( 3 ) 北京防化研究院第四研究所,北京 3..!; 中国科学院化学研究所分子科学中心,北京 3..3.3 摘要 采用电化学聚合法合成了对有机磷毒剂沙林具有特异识别的聚邻苯二胺 8@@B ; 分子印迹纳米膜 8 ; 利用石英晶体微天平8 ; 证实了印迹效应的存在,并用循环伏安法8 ; 、 、 进行了系统 G@@B $ c9 9: = ?@A “ ” 的结构表征 结果表明,分子印迹膜的膜厚约 ,膜的表面呈 石林 状,疏松多孔,具有良好的吸附性能 $ . +T $ 分子印迹主要影响聚合物的三维排列,而聚合物的化学组成没有发生改变 该种分子印迹纳米膜在选择性检 $ 测军用毒剂沙林中具有良好的应用前景$ 关键词 分子印迹技术, 电化学聚合, 沙林, 石英晶体微天平8 ; 表征 聚邻苯二胺 J c9 % % 中图分类号J [53 2345 6 ( ) 分子印迹技术是 年代以 等 发展起 邻苯二胺 , ,使用前抽真空升华提 -. /*011 +4@B $ C$ ( ) ( ) 来的一项为获得空间结构和结合位点上与某一结 纯 北京化工厂 ;沙林酸 DEFG+ EHGI J 纯度 K 7#L , 构的化合物或化合物的反应过渡态完全匹配的实 ( ) 自合成;沙林 MN ,纯度K 7!L O 其余均为国产分 验技术,其基本方法就是在单体聚合过程中通过嵌 析纯试剂 压电石英晶体 电极: 切型, $ * P4 3 埋模板分子和功能基在高分子载体上构筑分子识

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