CuInSe2薄膜太阳能电池及其性质.pdf

新能源2000．22(6)一36～38 CuInSe2薄膜太阳能电池及其性质。 张 寅 (山东教育学院数理系，济南250013) 摘要 简连了CulnSe2(CIS)薄膜太阳能电池发展历史和现状．描莲了这种太阳耗电池的制 备过程，井时其性质散了讨论。 关键词CulnSe?太阳娆电池薄膜太阳能电池光伏 0引言 阳能电池材料，吸引了许多人去从事这方面 展望21世纪全球的能源结构，各种各样 的研究。Kazmerski[33就曾经做出6+6％电池 的新能源所占比重会变得越来越大，其中太 效率的CIS薄膜太阳能电池。 阳能电池所占的比重将非常显著。 以后，c1S真正引起人们重视是因为在 太阳能电池的利用当今仍主要在航天以 1982年Boeing[11公司用物理蒸发法将效率 及一些特殊的场合。造成这种状况的原因是 提高到10．6％。该公司首先在衬底上镀了一 其本身造价太高，而如何降低成本是一个复 层Mo背接触。为了得到高质量的吸收层结 杂的问题。就材料的选择而言，考虑的因素有 构，在镀CIS膜的开始状态采取了Cu富有 禁带宽度、吸收系数、少数载流子寿命和表面 的方法，得到良好的效果。更为关键的是，为 离子的复合速度等．利用光伏效应发电、以晶 了改变带隙，引入能够形成异质结的材料 体硅为基体的太阳能电池一直占据统治地 (CdS)，使电池的开路电压和光致电流都得 位．但为了降低成本．出现了非晶硅薄膜太阳 到了不同程度的提高，从而达到提高电池效 能电池。近年来，以复合半导体为基体的薄膜 率的目的。Boeing公司为了进一步提高效 太阳能电池引起人们的关注。目前发展最好 率，提出了用Ga来替代In，研制出的Cu(In— 的是CdTe、CuInSe!为基体的太阳能电池。 Ga)Se2(CIGS)合金膜的效率是14．6％。这种 薄膜太阳能电池的优越性体现在；耗材少，衬 多元化合物的带隙较宽，结构的可选择性较 底便宜．生产能耗低．并可以镀在各种形状的 大。莸们有理由相信，随着对表面及内部结构 大面积的衬底上，世主要的是有较高的效率。 及性质的不断研究，必将得到更高效率的 CuInSe。在实验室条件下的效率已经能够达 CIGS薄膜太阳能电池。 到18孵“。 2 CIS薄膜太阳能电池的制备 1 CuInSe：薄膜太阳能电池的发展历史和 目前，CIS膜(主要指吸收层)的制备可 现状 以采用许多方法，常见的有n]：①真空蒸发或 CulnSe。(CIS)做为薄膜太阳能电池材溅射法；②化学气相热介喷涂法；③电镀或沉 积Cu和In，然后用H。se处理，把它换成 料，最初引起人们兴趣的是由于Wangner等 CuInSe。。位于德国斯图加特市的太阳能和氢 人[23发现CIS单晶有12％的效率。尽管CIS 的禁带宽度不高．但具有较高的光吸收系数， 能研究所(zsw)，多年来一直致力于CIS膜 所以在当时被认为是极具潜力的新型薄膜太 的研制和技术推广。下面描述的是该研究所 *山东省自然科学基金资助硬目(项目号Y98A15018) ·36· 万方数据 制备CIS膜的过程“。。