双光子激发ZnSe自由载流子超快动力学研究 - Open Repository of ....PDF

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 64, No. 17 (2015) 177901 双光子激发ZnSe 自由载流子超快动力学研究 杨哲 张祥 肖思 何军 顾兵 1)(中南大学物理与电子学院先进材料超微结构与超快过程研究所, 中南大学超微结构与超快过程湖南省重点实验室, 长沙 410083) 2) (东南大学电子科学与工程学院先进光子学中心, 南京 210096) ( 2015 年3 月14 日收到; 2015 年4 月26 日收到修改稿) 采用Z 扫描和抽运-探测实验技术, 在波长为532 nm、脉冲宽度为41 fs 的条件下测得ZnSe 晶体的双光子 吸收系数, 并获得了不同激发光强下的自由载流子吸收截面、电子-空穴带间复合时间和电子-声子耦合时间. 研究发现, 随着激发光强的增大, 自由载流子吸收截面减小, 复合时间变短. 当激发光强增大导致载流子浓度 大于10 cm 时, 抽运-探测信号出现明显改变, 原因归结为强光场激发导致样品在短时间内带隙变窄和电 子-空穴等离子体的形成. 关键词: 双光子吸收, 自由载流子吸收, ZnSe 晶体 PACS: 79.20.Ws, 42.65.Re, 78.40.Fy DOI: 10.7498/aps.64.177901 光子吸收(2PA)、价带电子折射、导带电子的吸收 1 引 言 14 和折射. Ye 等 于2012 年在脉冲宽度130 fs、800 nm 的激发条件下采用Z 扫描和抽运-探测实验技 半导体材料的非线性光学性质在光限幅、全 术测得了导带上和导带底电子的吸收截面分别为 光调控、信号调制等领域有着丰富的应用价值, 近年来得到了广泛的研究111 . ZnSe 晶体是典 m 和 m . 随着研究的深入, 一些半导体材料的纳米结构也得到了广泛的研究, 型的宽禁带II-VI 族直接带隙半导体, 室温下的禁 15 1224 12 如2012 年, Yao 等 利用飞秒激光荧光上转换光 带宽度为 2.7 eV . 随着四波混频 , Z 扫 描2225 、抽运-探测等726 实验表征技术的出现 谱技术详细研究了CdTe 量子点的电子-空穴弛豫 和成熟, ZnSe 的导带和价带电子的特性逐渐为人 动力学过程. 当今超短脉冲激光技术的快速发展, 3 为深入研究ZnSe 晶体自由载流子吸收(FCA)相关 们所了解. Sheik-Bahae 等 利用Z 扫描实验技术, 在波长532 nm、脉冲宽度27 ps 的激发条件下, 测 的超快光动力学过程提供了技术保障. 本文采用 得ZnSe 的双光子吸收系数和非线性折射率分别 41 fs 超短脉冲、波长为532 nm 的激光, 使用Z 扫描