光伏资料—刻蚀工艺培训.pptVIP

刻蚀及去PSG工艺培训;主要内容;一、刻蚀及去PSG目的;1.2 去PSG目的 由于在扩散过程中氧的通入，在硅片表面形成一层SiO2，在高温下POCl3与O2形成的P2O5，部分P原子进入Si取代部分晶格上的Si原子形成n型半导体，部分则留在了SiO2中形成PSG。 ; 磷硅玻璃的存在使得硅片在空气中表面容易受潮，导致电流的降低和功率的衰减。 死层的存在大大增加了发射区电子的复合，会导致少子寿命的降低，进而降低了Voc和Isc。 磷硅玻璃的存在使得PECVD后产生色差,在PECVD工序将使镀的SIxNy容易发生脱落，降低电池的转换效率 ;*;;三、RENA InOxSide 工艺流程;刻蚀设备; RENA InOxSide的主体分为以下七个槽，此外还有滚轮、排风系统、自动及手动补液系统、循环系统和温度控制系统等。;3.1 刻蚀槽;3.2 碱洗槽;3.3 酸洗槽;四、工艺常见问题以及解决方法;槽体温度 原则上温度控制在8度，一般上下浮动1-2度，调整梯度为0.5-1度，温度升高腐蚀深度增加，反之。温度可以作为刻蚀速率的调节手段，但是这是最后的手段。由于温度较高的情况下，刻蚀溶液在刻蚀槽时会不稳定，所以一般不宜长时间超过10度，当前我们的补液能保证刻蚀速率不下降，所以我们无需调高刻蚀溶液的温度。 滚轴速度 原则上带速控制在1.0-1.5m/min，调整梯度式0.1-0.2 m/min，速度越快，腐蚀深度越小，反之。;自动补液 调整自动补液的周期以及自动补液量（HF HNO3），补液周期越短，补液量越大，腐蚀深度越大，反之。 手动补液 可以手动添加化学品（HF HNO3 DI水），一般在腐蚀深度偏差较大时进行手动补液，一般在换液初期和槽体寿命快到时。 ;4.2、刻蚀线：可能出现过刻或刻蚀不足的情况，一般不超过2mm，通过肉眼观察，也可通过冷热探针测量边缘电压来判断是否刻通。 刻蚀不足：一般首先通过调节参数保证腐蚀深度在工艺控制范围内即可。 ;检验方法;检验原理;检验操作及判断;过刻以及刻蚀线不齐解决方法： 抽风：抽风在很大程度上会影响到刻蚀槽液面波动，而刻蚀槽任何的液面波动，对在液面上运行的硅片都有很大影响，抽风对刻蚀线宽影响很大，调节以前首先要观察好时片子哪条边刻蚀线宽异常再进行相应处理，一般不建议调整。 循环流量：调节循环流量，观察刻蚀效果，一般情况下，循环流量增加刻蚀线宽增加，反之。 溶液比例：添加H2SO4,可以调整溶液粘稠度，增加溶液的浮力。; 此外，片与片之间的间距、滚轴的水平程度、滚轴和内槽槽边高度水平等都会影响到刻蚀线宽，发现此类问题及时通知相关人员进行处理，保证四周刻蚀均匀，无过刻以及刻不通现象 。 一般来说，只要保证腐蚀深度在工艺控制范围，且刻蚀线正常，片子就一定能刻通。 ;4.3 碎片 放片方法应严格按照作业指导书，轻拿轻放在正确位置，多晶156的硅片由于面积较大，如果放置的位置不正确，很容易造成叠片卡片等，致使硅片在机器中碎裂。 调整喷淋管的位置，至滚轮能够光滑的运行，调整风管和水管的位置，使得片子在通过的时候，不会影响片子的运行。 滚轴高低不平会影响片子的运行方向，导致叠片卡片，致使碎片。 ; 作为工艺人员在生产过程中，如果发现机器碎片，一方面应该提醒产线员工注意放片规范，减少叠片和歪片；另一方面，应巡查上述主要地方，及时找到并清理在设备中残留的碎片，杜绝更多碎片的产生。 4.4 吹不干 调整吹干气体流量，无效果，通知设备。; 当班过程中，检查生产人员的无尘服穿戴、上下片操作手法以及工艺卫生状况是否符合要求，对于不符合要求的情况及时提出，并督促其整改，定期对员工进行集中培训。;湿法刻蚀相对等离子刻蚀的优点;湿法刻蚀相对等离子刻蚀的缺点;五、刻蚀工艺岗位职责;助理工程师： 关注当天的效率、碎片率、良品率等参数，对于出现的外观不良、漏电或是效率低下等异常，及时联系其余工序的工程师一起进行排查。 检查每天的腐蚀量，对于异常点，积极排查异常并制定预防措施。 对于技术员汇报的异常情况，视情况到场解决或是电话给出解决措施，若不能解决的，及时通知工程师。 负责刻蚀工序点检表格（各台设备的运行情况与关键参数点检表）的编写。 协助工程师，安排刻蚀段的排查或改进实验，如有需要，与其他工序或是其他职能部门进行沟通，实验结束后，及时给出实验报告。 完成安排的其他工作 ;工程师： 关注当天的效率、碎片率、良品率等参数、化学品用量，对于出现的外观不良、漏电或是效率低下等异常，及时联系其余工序的工程师进行排查。 确定工艺方案与工艺控制参数（腐蚀量、刻蚀线宽），药液使用寿命以及设备维护周期，上报主