固结磨料抛光LBO晶体非水基抛光液优化.pdfVIP

宋龙龙等:团结磨料抛光 LBO 晶体非水基抛光液优化 02051 文章编号: 1001-9731 (2016 )02-02051-04 固结磨料抛光 LBO 晶体非水基抛光液优化. 宋龙龙I ，李 军l ，王文泽l ， 胡幸贵2 ，朱永伟l ，左敦稳l (1.南京航空航天大学机电学院，南京 210016; 2. 中国科学院理化技术研究所功能晶体与激光技术重点实验室，北京 100190) 摘 要: 三棚酸侵(LBO) 晶体是优良的非线性光学 军等(9) 将抛光液的化学作用和抛光粉及抛光垫的机械 晶体材料，抛光后晶体表面水份残留导致晶体湖解，影 作用相结合，先后采用 1μm 氧化饰(CeOZ ) 和纳米级 响器件的使用性能。 采用非水基抛尤液闺结磨料抛尤 胶体二氧化硅(Si0 )进行抛光，获得表面粗糙度〈 2 LBO 晶体，降低水含量，研究非水基抛光液中去离子 0.2 nm RMS，表面平面度À/ I0 0 = 633 nm) ，微观 水、乳酸、双氧水等含量对材料去除率和表面粗糙度的 损伤少的晶体表面。李军等(10) 报道了无磨料碱性抛 影响，并综合优化得到高材料去除率和优表面质量的 光液在乙二胶调节作用下 pH 值= 11 ，采用固结磨料 抛光液组分。研究表明，抛光液中去离子水浓度 抛光法可获得 LBO 晶体(10) 晶面 Sa = 1.94 nm 的无 16% 、乳酸 22 %、双氧水 5 % 为最优抛尤液组分，采用 损伤表面。 Liao 等(11 ] 发明了一种具有预压力的夹持 优化的抛尤液团结磨料抛光 LBO 晶体的材料去除率 隔膜装置，可以减小抛光垫弹性变形造成的边缘应力 达到 392 nm/ min ，表面粗糙度为 0.62 nm，实现了 集中现象，获得平面度 P-V 值低于 À/8 ， RMS 约为 0.68 nm的表面质量。李军等[ 12] 采用基体硬度适中和 LBO 晶体表面的高效高质量抛克，同时避免了抛尤过 程中水的大量使用。 150%浓度抛光粉优化了固结磨料抛光垫(FAP) 抛光 关键词: 固结磨料抛光;非水基抛光液;材料去除率; LBO 晶体( 110) 晶面，获得最大材料去除率为 表面粗糙度 7 1.4 nm/ min ，优化的表面粗糙度 Sa = O. 657 nm。李 中图分类号: 0786 ;TG356.28 文献标识码: A 军等[ 13 ) 研究了 4 种有机酸作为溶质的水基抛光液对 0 DOI: 10.3969jj.issn.1001-973 1.2016.02.011 LBO 晶体特定晶面(8=90。呼= 13.8 ) 进行抛光，最终 筛选出溶质为拧朦酸 pH 值=5 的抛光液，获得了材料 o 51 言 去除率为 366 nm/ min ，表面粗糙度 Sa=0. 32 nm 的表 三棚酸惶