气敏陶瓷 学号：002004101716 03304129——赵志刚 摘要 本文论述 .doc

气敏陶瓷 学号：002004101716 —赵志刚 摘 要 本文论述了气敏陶瓷材料的制备方法、基本原理、应用及其展望。 关键词 气敏陶瓷，制备方法，基本原理 引言 大气是人类赖以生存的重要外界环境因素之一。大气的正常化学组成是保人体生理机能和健康的必要条件。但是，随着现代工业的高速发展和人们生活水平的显著提高，人们使用和接触的气体越来越多，而那些易燃、易爆、有毒气体和废气不仅威胁到人们的生命财产，而且还直接影响到人类的生存环境。因此，有效地对这些气体进行检测、监控和报警乃成为迫切的任务。气体传感器就是适应这些需要而发展起来的。气体传感器通常是在高温、含有腐蚀性气体的气氛中使用，并且气体的浓度都较低。因此，对气体传感器材料的要求是：①对被测定的对象气体具有高的灵敏度；②对被测定气体以外的其它气体不敏感；③长期使用性能稳定。 1、气敏陶瓷的工作原理 半导体气敏陶瓷是利用半导体陶瓷与气体接触时电阻的变化来检测低浓度气体的。半导体表面吸附气体分子时，其电导率将随半导体类型和气体分子种类的不同而变化。气体吸附一般分物理吸附和化学吸附两大类。前者吸附热低，可以是多分子层吸附，无选择性；后者吸附热高，只能是单分子吸附，有选择性。在一般情况下，物理吸附和化学吸附同时存在。在常温下物理吸附是吸附的主要形式。随着温度的升高，化学吸附增加，至某一温度达到最大值。超过最大值后，气体解吸的几率增加，物理吸附和化学吸附同时减少。 半导体气敏陶瓷的导电机制比较复杂，虽然有许多研究，但有的仍然没有获得完全一致的看法。半导体气敏材料一般是非化学计量的氧化物，当其表面发生气体吸附时，可以有以下四钟情况： a)n型半导体发生负离子吸附 b)n型半导体发生正离子吸附 c)p型半导体发生负离子吸附 d)p型半导体发生正离子吸附 a）、d)类吸附使材料功函数减小，载流子电导空穴减少．使表面电导率降低，这种吸附称为耗损型吸附(Depletive Adsorption)。b)、c)类吸附多数导至载流子增加，表面电寻率增高，称为蓄积型吸附(cumulative Adsorption)。一般情况下，不管是n型半导体，还是p型半导体对氧多数发生负离子吸附，而对于H2、CO、碳化氢、乙醇等多数发生正离子吸附。 图6．76为耗损型吸附能带图。在图6．76(a)、(b)中，由于外来C原子的电子亲合能A大于半导体的功函数，因此C原子接受电子能级比半导体的费米能级低，吸附后电子由半导体向吸附层移动，形成负离子吸附，静电势增加，能带向上弯曲，形成表面空间电荷层，阻碍电子继续向表面移动，最后达到平衡。如果以表示C原子和半导体间由于静电力和其他作用力而引起的相互作用能，以V0表示吸附后由于能带弯曲形成的空间势垒，那么平衡时： A-+- V0=0 图6．76(c)、(d)为p型半导体发生正离子吸附的能带图。设C原子的电离能I比半导体的功函数小，即接受电子的能级比费米能级高，吸附后电子由c原子向p型半导体内部移动，即空穴向表面移动，能带向下弯曲。由于表面所形成的空间电荷层阻碍着空穴继续向表面移动，最后达到平衡。平衡时： -I+- V0=0 上述两种情况都会使表面载流子减少，表面电导率降低。 气敏半导体陶瓷的电导和工作原理是一个没有完全解决的复杂问题，上面所说的只是提出理论中的一种，还可以用其他机理去解释，这里不予赘述。 2、气敏陶瓷的制备方法 粉料的制备技术繁多，不同的合成物有不同的制备方法。 2.1、按制备时的条件分为：超微粉料制备技术、气相法制备技术、液相法制备技术。 2.1.1、超微粉料制备技术 使用超微粉料，不仅可以大大提高产品质量，而且可将烧成温度降低150-400℃，降低产品成本。采用固相法中的机械粉碎法制备的粉粒分布较宽，易引人杂质，不适用来制备超微粉料。但此方法制备的粉粒无团聚，填充性好，成本低，迄今仍有很强的吸引力。德国和日本已经在开发超细粉料的机械粉碎设备，并制造了“双缝球磨机”。此外，还可以采用超微细粉碎机和分级联合使用的边缘粉末工艺，在工艺参数选择、助磨剂的作用研究方面已取得一定进展。固相法中的热分解法仅适合碳酸盐之类的化合物。 2.1.2、气相法 气相法是通过物质蒸汽的凝聚和气体成份的化学反应而使固体粒子析出的方法。此方法容易控制气氛，不仅对氧化物，而且对氮化物、碳化物等非氧化物也可以制得超微粒子。气相法的生产量小，成本高，多成份制造困难，不适合规模生产，但由于气相法的制备条件容易控制，粉料粒度分布范围窄，凝聚块团小而均匀，所以是一种值得研究的方法。 2.1.3、液相法 液相法中用金属醇盐加水分解，一般称为溶胶一凝胶法。比较不同粉料制备工艺的相对价值，结果表明若传统陶瓷工艺为100，那么沉淀法为20