数电模电第一章.ppt

* 1.6.1 结型场效应管 3.结型场效应管的特性曲线及主要参数 （1）输出特性曲线 输出特性曲线是指栅源电压UGS一定时，漏极电流ID与漏 源电压UDS之间的关系曲线 * 1.6.1 结型场效应管 ① 可变电阻区：在UDS较小靠近特性曲线纵轴处， ID几乎随着UDS线性增加。随着UGS的改变，ID随UDS线性增加的比值也相应改变，因此，此区可把场效应管的漏、源极之间看作受UGS控制的可变电阻。 ② 恒流区(饱和区)：此区的特点是ID只受UGS的控制而几乎与UDS无关，具有恒流特点。因为ID不随UDS增大而增大，达到饱和状态，故又称饱和区。 ③ 击穿区：当UDS增大到某一值时，栅、漏间PN结会发生反向击穿， ID急剧增加，如不加限制会造成管子损坏。 ④ 截止区：当UGS ＜ UP靠近特性曲线横轴处为夹断区，此时管子处于截止状态。 * 1.6.1 结型场效应管 （2）转移特性曲线 在场效应管的UDS 一定时，ID与UGS之间 的关系曲线称为场效 应管的转移特性曲 线，它反映了场效应 管栅源电压对漏极电 流的控制作用。 * 1.6.1 结型场效应管 当UGS=0时，导电沟道电阻最小，ID最大，称此电流为场效应管的饱和漏极电流IDSS。 当UGS=UP时，导电沟道被完全夹断，沟道电阻最大，此时ID=0，称UP为夹断电压。 * 1.6.2 绝缘栅型场效应管 绝缘栅场效应管是由金属（Metal）、氧化物（Oxide）和半导体（Semiconductor）材料构成的，因此又叫MOS管。 绝缘栅场效应管分为增强型和耗尽型两种，每一种又包括N沟道和P沟道两种类型。 * 1.6.2 绝缘栅型场效应管 1、结构与符号 以N沟道增强型MOS管为例，它是以P型半导 体作为衬底，用半导体工艺技术制作两个高浓度的 N型区，两个N型区分别引出一个金属电极，作为 MOS管的源极S和漏极D；在P形衬底的表面生长一 层很薄的SiO2绝缘层，绝缘层上引出一个金属电极 称为MOS管的栅极G。B为从衬底引出的金属电 极，一般工作时衬底与源极相连。 * 1.6.2 绝缘栅型场效应管 N沟道增强型MOS管的结构与符号 符号中的箭头表示从P区（衬底）指向N区（N沟道），虚线表示增强型。 * 1.6.2 绝缘栅型场效应管 2、N沟道增强型MOS管的工作原理 在栅极G和源极S之间加电压UGS，漏极D和源极 S之间加电压UDS，衬底B与源极S相连。 形成导电沟道所需要的最小栅源电压UGS，称为开启电压UT。 * * * 1.4 其它类型二极管 1、发光二极管 发光二极管是一种光发射器件，英文缩写是LED。此类管子通常由镓（Ga）、砷（As）、磷（P）等元素的化合物制成，管子正向导通，当导通电流足够大时，能把电能直接转换为光能，发出光来。目前发光二极管的颜色有红、黄、橙、绿、白和蓝6种，所发光的颜色主要取决于制作管子的材料。 发光二极管应用非常广泛，常用作各种电子设备如仪器仪表、计算机、电视机等的电源指示灯和信号指示等，还可以做成七段数码显示器等。发光二极管的另一个重要用途是将电信号转为光信号。 * 1.4 其它类型二极管 * 1.4 其它类型二极管 2、光电二极管 光电二极管又称为光敏二极管，它是一种光接受器件，其PN结工作在反偏状态，可以将光能转换为电能，实现光电转换。 * 1.4 其它类型二极管 3、激光二极管 激光二极管是在发光二极管的PN结间安置一层具有光活性的半导体，构成一个光谐振腔。工作时接正向电压，可发射出激光。 激光二极管的应用非常广泛，在计算机的光盘驱动器，激光打印机中的打印头，激光唱机，激光影碟机中都有激光二极管。 * 1.5 半导体三极管 半导体三极管又称晶体三极管（下称三 极管），一般简称晶体管，或双极型晶体管。它是通过一定的制作工艺，将两个PN结 结合在一起的器件，两个PN结相互作用，使 三极管成为一个具有控制电流作用的半导体 器件。 * 1.5.1 基本结构和类型 三极管可以是由半导体硅材料制成，称为硅三极管；也可以由锗材料制成，称为锗三极管。 三极管从应用的角度讲，种类很多。根据工作频率分为高频管、低频管和开关管；根据工作功率分为大功率管、中功率管和小功率管。 * 1.5.1 基本结构和类型 三极管从结构上来讲分为两类：NPN型三极管和PNP型三极管。 * 1.5.1 基本结构和类型 符号中发射极上的箭头方向，表示发射结正偏时电流的流向。 三极管制作时，通常它们的基区做得很薄（几微米到几十微米），且掺杂浓度低；发射区的杂质浓度则比较高；集电区的面积则比发射区做得大，这是三极管实现电流放大的内部条件。 * 1.5.2 电流分配与放大 要实现三极管的电流放大作用，首先