第10章其它形态的硅讲述汇总.pptVIP

开方 用多线切割机对硅锭进行开方成块。也有用板锯切割的，一般不用SiC砂浆，只有冷却液（聚乙烯醇溶液，分子量在200左右，PVA，水溶性）（PEG也可以，但清洗难度大，水中溶解度小） 检测 对开方后的硅块进行检测，保证合格的部分进入切片区。 检测项目：裂纹裂隙，电阻率，P/N型，少子寿命，IR，边框尺寸 电阻率、P/N型测试仪器 测电阻率，P型，N型 P,B含量 少子寿命测试仪 间接反映光电转化效率， 要求大于2μs 红外探测仪 透过硅块，观察是否有异物和裂纹，裂开，空隙等 去头尾，倒角，磨面 按照检测结果对硅块进行去头尾，倒角，磨面 带锯去头尾 倒角机倒角 磨面机磨面 （板锯，聚乙烯醇浆料保护，防止表面氧化和降温） 去头尾，倒角，磨面后的硅块 粘胶 将硅块用胶水黏着在玻璃板（亚克力板）上 工艺：将硅块，玻璃板，铝板用A，B胶黏结在一起，要求温度在20～25℃，湿度在65%左右。 切片 利用多线切割机对粘胶硅块进行切片，外观上和开方机一样。利用细线和均匀混合的碳化硅浆料切割 预清洗 对硅片上的浆料进行冲洗，并且洗去粘胶面上的胶。 冲洗切割砂浆和碎屑等杂物 洗去硅片上的粘胶（有机溶剂） 清洗 用酸，碱进一步对硅片进行清洗，以得到干燥，洁净的硅片。 多晶硅片切割砂浆的综合利用问题探讨？ （补充讨论） 分拣与包装 把合格的硅片挑选出来，包装好， 成为成品。 单晶硅片 多晶硅片 硅片盒 多晶硅片 硅材料加工，清洗，腐蚀制绒等工艺，单独成章节介绍（光伏产业和电子IT产业） 太阳能电池用 多晶硅片的一般要求 10.2 带状硅材料 为减少硅材料切片加工过程中的损失和污染，新开发的一种太阳能电池用硅片材料。厚度：200-300μm 成型工艺：硅熔体中垂直提拉，水平横向生长工艺 主要有：边缘薄膜带状生长技术（edge defined film-fed growth, EFG)（垂直） 线牵引带硅生长技术（string ribbon growth, SRG) （垂直） 枝网带硅生长技术（ dendritic web growth, DWG) （垂直） 衬底带硅生长技术（ ribbon growth on substrate, RGS) （水平） 工艺粉末带硅生长技术（ silicon sheet of powder, SSP)(垂直） EFG，SRG和DEG不同程度进入商业化了，SSP和RGS处于试验研究阶段。 主要问题：边缘稳定性；应力控制，产率 缺点：晶界，位错，杂质含量都很高，少子寿命低，因此，氢钝化，磷吸杂和铝吸杂显得特别重要。 （新材料的一种概念，研发阶段） 10.3 非晶硅薄膜材料（a-Si) 节省材料： 直接带隙半导体(Eg=1.4-2.0eV ，通过不同的合金掺杂，带隙连续可调），无需动量守恒，吸收系数大，仅1μｍ厚，就能充分吸收太阳光，而单晶片、多晶硅片（晶体硅是间接带隙半导体，Eg=1.12eV）一般在200 μｍ厚，充分吸收太阳能需要25μm厚，其它厚度，都是支撑作用，还造成载流子迁移路程加长。 转化效率低： 实验室最高效率为13%左右，工业上，一般都小于8%（塞维BEST公开报道为8.5%） 非晶硅薄膜电池的特点： ①材料和制造成本低 ②易大规模，大面积生产 ③易实现柔性电池(BIPV) ④转换效率一般低于8%,光衰减严重。 ⑤电池结构P+-I-N+（重掺杂的P型和N型半导体中间插入一层本征层，本征层中接受P型和N型半导体输入的等量空穴和电子，是p-n结比电阻下降，电容值下降。 ⑥制造工艺简单： B2H6+SiH4—PECVD（100℃-300℃）—Si 或：PH3+SiH4 —PECVD（100℃-300℃）—Si 衬底材料：导电玻璃，塑料，不锈钢板凳，在同一PECVD设备上，改变气流成分，就可以得到pin，或pn结的薄膜材料。焊接电极，封装，就是太阳能板。 10.4 多晶硅薄膜（poly-Si) 在廉价衬底材料（玻璃、陶瓷、廉价硅材料）上，通过CVD沉积技术，制备一定厚度的多晶硅薄膜。克服非晶硅薄膜的缺点。 微晶硅薄膜（μc-Si,φ=10-30nm) 纳米硅薄膜（nc-Si, φ=10nm±） 制备方法（两步法工艺） ： 在衬底材料上，通过CVD技术，直接制备（一步法工艺）；或先得到非晶硅薄膜，在通过晶化技术（固相晶化，激光晶化和快速热处理），得到多晶硅薄膜。 特点：（具有非晶和多晶的优点） 粒度几十个纳米—几十个微米；没有非晶硅的光致衰减效应（和多晶硅