Cu底层对SmCo薄膜磁性能的影响.pdfVIP

第41卷第4期 华中师范大学学报(自然科学版) V01．41 NO．4 2007年1 2月 J()URNAI OF HUAZH()NG NORMAl UNIVERSITY(Nat．Sci．) Dec．2007 文章编号：1000—11 90(2007)04—0543—03 Cu底层对SmCo薄膜磁性能的影响 张 峰 ，黄致新 ，胡 曾 ，崔增丽 ，董凯峰 ，杨晓非 (1．华中师范大学 物理科学}|j技术学院，武汉 430079； 2．华中科技大学 电子科学与技术系，武汉 430074) 摘 要：通过多靶射频磁控溅射系统在玻璃基片上制备_r SmCo／Cu磁性薄膜．采用控制变量法 优化了磁性层溅射工艺参数，制备出了矫顽力高达2400 Oe的溅射态SmCo面内磁化膜；通过控制 溅射Cu底层时的基片温度，薄膜磁化方向有从面内向垂直方向转变的趋势，并制备出矫顽力达到 6215 Oe的垂直面内方向的SmCo／Cu薄膜；利用扫描隧道显微镜(STM)分析SmCo薄膜在不同温 度下的表面形貌发现，l 50 C时薄膜的晶粒尺寸较小有利于改善薄膜磁性能． 关键词：Cu底层；磁控溅射；SmCo薄膜；矫顽力 中图分类号：TM273 文献标识码：A 近年来Smco 系列薄膜因其具有高的矫顽力、高 薄膜的结构由菲利普公司的Y’Pert PR()xX 的单轴磁晶各向异性能以及较大的饱和磁化强度而 射线衍射仪进行分析．薄膜的厚度通过 Ambious 成为了超高密度磁记录介质的研究热点 ．为了提 XP—I型表面形貌仪测定．薄膜的磁性能采用 高Smco薄膜的磁性能，通常在基片上沉积Cr作为底 TM—VSM2050HGC型振动样品磁强计(VSM)测 层 。]．Okumura等 的研究发现Cr底层可以有效地 量．薄膜的表面形貌采用Solver P47型多模式扫描 改善SmCo薄膜的晶粒结构和形貌，提高薄膜的矫顽 探针显微镜(MSPM)观察． 力，形成合适的织构使易磁化轴平行膜面，改善Smco 表1 溅射制备SmCo薄膜工艺参数 薄膜的面内磁性能．但是，Cr底层的晶格与Co合金的 Tab．1 RF sputtering pamameters of SmCo thin films 晶格之间仍然存在着较大的品格失配．为此，许多科 研工作者致力于新的底层材料的研究，如采用TiCr， Ti／Cr以及Cu等作为底层可以使底层与磁性层之间 的晶格失配减小，改善薄膜的磁性能．Junichi等 的 研究发现，通过Cu作为底层并采用基片加温的方法 向磁性层中渗入部分Cu可以有效的减小底层与磁性 层之间的晶格匹配，增强薄膜的垂直磁各向异性能． 因此，本工作采用磁控溅射方法制备了SmCo、 SmCo／Cu系列薄膜．主要研究了Cu底层对Smco薄膜 E 磁性能的影响，并研究了Cu底层的品格取向问题． 1 实验 采用JGP560型超高真空多靶磁控溅射系统在玻 璃基片上制备SmCo、Smco／Cu系列薄膜．制备SmCo 磁性层采用的是复合靶，即在Co靶上放置Sm片构成 图1 Cr／SmCo／Cu薄膜的磁滞回线 复合靶．溅射时本底真空度优于3×10 Pa，溅射气体 Fig．1 Hysteresis loops of Cr／SmCo／Cu thin films 采用高纯氩气，具体溅射工艺参数如表1所示． 收稿日期：2007—04—21． 基金项目：国家自然科学基金资助项目；湖北省自然科学基金资助项目(20O5ABA041)． *E—mail：zyahoo．com．cn．