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第 37卷第 6期 微 电 子 学 Vo1．37，No．6 2007年12月 MicrDPlPcfrD，l cs Dec．2007 一 种二阶补偿的低压CMOS带隙基准电压源 杨 鹏，吴志明，吕 坚，蒋亚东 (电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室，成都 610054) 摘 要： 设计了一种利用不同材料电阻的比值随温度变化的特性进行二阶补偿的低压带隙基准 电压源。通过温度补偿电阻进行电平平移，提高运放的共模输入范围，以降低运放对电源电压的限 制。仿真结果表明，该电路输出电压为1．165 V，在一40～125℃范围内，温度系数为4．5 ppm／℃， 电源抑制比达到60．6 dB。电路工作在1．5 V的电源电压下，最大消耗15 A电源电流。 关键词：CMOS；带隙基准源；二阶补偿；温度补偿 中图分类号：TN432 文献标识码： A 文章编号：1004—3365(2007)06—0891—04 2n~-Order Compensated Low Voltage CMOS Bandgap Voltage Reference YANG Peng，WU Zhi—ming，LU Jian，JIANG Ya—dong (State Key Laboratory of Electronic Thin～Film and Integrated Devices，University of Electronic Science and Technology of China， Chengdu 610054，P．R．Ch ina) Abstract： A low-voltage CMOS bandgap reference with second-order compensation using a temperature-depend— ent resistor ratio was presented．Resistor strings for temperature compensation were used to level-shift up the IX； voltage at the inputs of the operational amplifier such that supply voltage can be reduced．Simulation results show that the circuit delivers an output voltage of 1．165 V and achieves a temperature coefficient of 4．5 ppm／。C over the range from--40℃to 1 25℃，and a power supply rejection ratio of 60．6 dB．The proposed voltage reference source can operate down to a 1．5 V supply and consumes a maximum supply current of 15 久 Key words： CMOS；Bandgap reference source：Second-order compensation：Temperature compensation EEACC： 1205；1290 的方式，使基准源的最低工作电压被限制在2 V左 1 引 言 右。这些制约因素可以通过电流模式、电阻分压和 改进工艺降低阈值电压的方法来解决。目前，已有 近年来，便携式电子