2016汽车类专业汽车电工电子技术（陈昌建 主编）课程教案：模拟电子技术基础01.docVIP

单元六 模拟电子技术基础（共18学时） 课题一 半导体知识简介 一、半导体材料的导电特性 1．半导体及其导电特性 纯净的半导体具有晶体结构，所以半导体又称为晶体。硅和锗的结晶纯度必须高于99.999999999999%（12个9）时，这样提纯后的单晶半导体称为本征半导体。本征半导体是共价键结构。 本征半导体在绝对零度（－273℃）时，等同于绝缘体。当温度升高（如常温下）或有光照半导体时，由于热激发，一些电子获得一定能量后会挣脱束缚成为自由电子，从而具有了一定的导电能力，同时在自由电子原有的位置上会留下相对应的空位置，称为“空穴”，这种现象叫本征激发（热激发）。 半导体中的同时存在着电子导电和空穴导电。 2．影响半导体材料导电能力的因素 （1）掺杂性 （2）热敏性 （3）光敏性 3．半导体的分类 半导体大体可以按以下方法来分类： 元素型半导体（如硅、锗） 按化学成分不同可分为 化合物型半导体（如砷化镓、硫化镉） 半导体材料 本征半导体 按是否含杂质可分为 杂质型半导体：N型半导体和P型半导体 二、PN结及其特性 1．N型（电子型）半导体 在本征半导体硅或锗内掺入微量的五价砷元素或磷元素所形成的半导体称为N型半导体。 N型半导体中的多数载流子是电子，少数载流子是空穴，N型半导体主要靠电子导电。 2．P型（空穴型）半导体 在本征半导体硅或锗内掺入微量的三价元素，可使半导体中的空穴浓度大为增加，形成P型半导体。 P型半导体中多数载流子是空穴，少数载流子是电子。它主要靠空穴导电。 应当注意的是：不论是N型还是P型半导体，整个晶体都呈现电中性。 3．PN结的形成 在一块单晶片上，采用特殊工艺方法，两边分别掺入不同杂质，分别形成P型半导体和N型半导体，在两种半导体的交界面处就形成了PN结。 4．PN结的单向导电性 PN结具有单向导电性，即加正向电压（正偏）时，电阻很小，PN结导通，形成较大的正向电流；加反向电压（反偏）时，电阻很大，PN结截止，反向电流基本为零。 作业：1～2题 课题二 晶体二极管及应用 一、二极管的结构与特性 【课堂互动】认识几种二极管。 1．二极管的结构 （1）二极管的外形 （2）二极管的结构 从P型半导体上引出的电极叫二极管的正极或阳极，用“+”表示；另一电极叫负极或阴极，用符号“—”表示。文字符号为VD，箭头指向二极管正向导通时的电流方向。 图6-8 二极管的电路符号 （3）二极管的分类： 2．二极管的伏安特性 伏安特性是指加在二极管两端的电压与通过它的电流之间的关系，可用伏安特性曲线来表示。 （1）正向特性 死区电压，也叫阈值电压或坎电压。硅管的死区电压约为0.5V，锗管的死区电压约为0.1V。 AB段称为正向导通区。 （2）反向特性 0Ｄ 二、二极管的主要参数 二极管的参数是反映二极管电性能的质量指标，是合理选择和使用二极管的主要依据。二极管的主要参数有以下几种。 （1）最大整流电流IFM （2）最高反向工作电压URM （3）最大反向电流IRM 三、二极管的检测 1．用模拟式万用表检测二极管的单向导电性（注意黑表笔的极性） 2．用模拟式万用表检测二极管的好坏 若测得的二极管的正向电阻小，反向电阻大，且两者相差很大，说明管子是好的。 若测得的二极管的反向电阻太小，则说明该管已失去了单向导电性；若反向电阻无穷大，则说明管内部已开路；若反向电阻为零，则说明该管已被击穿，不能使用。 3．用模拟式万用表判断二极管的极性 注意：用万用表测二极管时，不能用R×1和R×10K挡，R×1挡电流太大，可能烧坏二极管；R×10K挡电压太高，可能会击穿管子。 四、特殊二极管及其在汽车上的应用 （一）稳压二极管 1．稳压二极管伏安特性 稳压二极管工作在反向击穿区，也称为齐纳二极管。这种管子杂质浓度较高，PN结较薄。它的伏安特性与普通二极管类似，只是稳压二极管的反向击穿区特性曲线很陡。 2．稳压二极管的主要参数 （1）稳定电压UZ 指稳压二极管反向击穿后稳定工作的电压值（击穿电压）。不同型号的管子具有不同的稳压值。相同型号的管子，因制造工艺不易控制，相同型号的稳压值也有少许差别，如2CW1的UZ=7～8.5V。但具体到某一只稳压管，它的稳定电压是确定的。 （2）稳定电流IZ 是指稳压管在稳定电压时的工作电流，其范围在IZmin～IZmax之间（图6-14a）。 （3）最大耗散功率PM （6）动态电阻rZ 应当注意： （1）稳压管在