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PROCESSING~工艺与制造
_jMANUFACTURING
45Hi节点的
应力工程和版图环境的影响
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我们综合考虑了45nm节点工艺中的多种应力来源，讨论了一种用于处理版图依赣问题的方法，并
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且检验了混合取向技术 (HOT)的潜力。
了满足国际半导体技术蓝图 (]TRS) 应力分■
RicardoBorges
VictorMoroz 制定的90nm以下CMOS器件的目标，
XiaopengXu， 应力工程已经成为提高晶体管性能的
SynopsysInc 常用技术。可以通过多种途径产生应力，例如双
wwwsynopsyscom
应力衬层 (DSL)、源极和漏极 (S／D)位置的嵌
入式锗硅 (eSiGe)、应力记忆，以及来 自于浅沟
隔离 (STI)的无意应力。这些应力作用的结果
形成了依赖于版图的非均匀应力分布。与版图的
相关f生以及硅材料中各项异性的应力传导需要对
网表进行基于实例的考量，考虑对每个晶体管性
能的改变。
应力工程的应用 最初商业应用。最近，机械应力在影~MOSFET
众所周知，机械应力可以改变硅材料的能隙 性能方面扮演了越来越重要的角色。如果可以适
和载流子迁移率，压电应力传感器是这一效应的 当控制应力，由于提高了载流子 (n一沟道晶体管
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应力和迁移宰蜜化 (％) 率，就提高了驱动电流，因而应力可以极
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有意应力用于调整nFET或pFET沟
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