用脉冲激光沉积法在硅衬底上生长LiNbO,3薄膜的分析.pdfVIP

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2017-07-20 发布于上海
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用脉冲激光沉积法在硅衬底上生长LiNbO,3薄膜的分析.pdf

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用脉冲激光沉积法在硅衬底上生长LiNbO,3薄膜的分析

摘要 LN薄膜是必不可少的条件。氧气压强、衬底温度、衬底和靶之间的距离以及激光的重复频率对生长LN薄膜有很大的影响，较低的氧气压强、较低的激光重复频率和较高的衬底温度会导致缺锂相LiNb308的产生，而衬底和靶之间的距离影响薄膜的取向。通过对LN薄膜生长条件的探索，找到了生长c轴择优取向LN 薄膜的优化条件：氧气氛压强30Pa，衬底温度600V，衬底和靶的距离4cm，激光重复频率3Hz或5Hz。我们还尝试在相同条件下在玻璃衬底上生长LN薄膜，、～、，但没有成功，这说明LN薄膜的生长条件与所选用的衬底类型有关。有别于以前＼的研究，在生长c轴择优取向LN薄膜的过程中，没有采用富锂的多晶靶，也没有采用缓冲层和诱导电场。xRD、TEM和AFM的测试分析表明：在优化条件下生长的LN薄膜是一种拄状的多晶结构，具有良好的择优取向性和结晶度，在晶粒内部观察到类似单晶的结构。利用棱镜耦合器，激光可以耦合到LN薄膜，㈨。 √ 采用缓冲层是改善薄膜生长质量的常用途径，1本文还探讨了ZnO缓冲层对， LN薄膜生长质量的影响。研究表明，采用缓冲层后，LN薄膜的晶体质量得到了很大的提高。 Abstract PLDis inthis substrate paper．02 filmonsilicon investigated LN of by Growing is ofthe film LN ofLN 02 for dependent isessential 锄bient film．Growing growing tOthe the ofthesubstrate substrate distance target，and pressure，thetemperature，the ofthelaser ofthelaser 02 frequency pressure，low frequency repetition．Low and substrate willresultinthe ofLi_deficient high temperature appearance repetition