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修士学位論文要約（平成28年3月） エピタキシャル薄膜形成に関する研究 青葉　一郎 指導教員：情報 太郎，　研究指導教員：広瀬 次郎 A Study on Epitaxial Film Formation Ichiro AOBA Supervisor: Taro TSUKEN, Research Advisor: Jiro HIROSE Carbon doping effect on strained A1-xBx epitaxial growth on A(100) has been investigated using an ultraclean hot-wall low-pressure chemical vapor deposition. The introduction of C into thin strained A1-xBx films reduces the lattice constant. On the other hand, results of the Raman scattering measurement show that C incorporation scarcely affects on local strain of A-A, A-B and B-B bonds. The critical thickness at which the Raman shift peak begins to be decreased tends to become larger for the higher C fraction. It is considered that the C introduction effectively increases the critical thickness by relieving the overall strain. By the wet etching technique, it is confirmed that the strain relaxation of A1-xBx (x=0.45) film occurs in whole film. On other hand, the strain relaxation of A1-x-yBxCy (x=0.45, y=0.016) films occurs partially near surface, although the other part near the interface is still strained. 1.　はじめに現在、デバイス特性向上のために歪半導体ヘテロ構造の導入が検討され、チャネル部に歪A1-xBxを用いることによりｐチャネル電界効果トランジスタ（pMOSFET）1)2) の高移動度化が実現される事がわかっている。歪A1-xBx層においては、B比率xを高くするほど高キャリア移動度化が図れるものと期待されるが、これまでの報告では、高B比率下ではデバイス特性の向上は見られてない1)2)。この原因の一つとしてAとA1-xBxの格子不整合に起因するミスフィット誘起欠陥の発生3)が考えられる。それを抑制する方法として、同じⅣ族半導体であり格子定数がAより小さいCを歪A1-xBxエピタキシャル層に導入することで欠陥発生を抑えた良質な高B比率A1-xBx薄膜を実現できることが期待される。そこで、本研究ではA(100)表面上の歪A1-xBx膜にC導入した効果について調べた。 2.　AH4-BH4-AH3CH3-H2系を用い高清浄減圧CVD装置にて行った4)。A1-xBx膜とA1-x-yBxCy 膜はA(100)表面上で成膜温度が450oCと500oC、全圧30 Pa、AH4、BH4、AH3CH3の分圧はそれぞれ6.0 Pa、1.2 Pa、0-0.4 Paの条件でエピタキシャル成長させた。堆積させたA1-xBx膜とA1-x-yBxCy膜はX線回折装置によりA(100)基板表面に対し垂直方向の格子定数を算出し、X線光電子分光(XPS)によりB比率(x)とC比率(y)を求めた。また、A1-xBx膜とA1-x-yBxCy膜の歪をラマン散乱分光により調べた。 A(100)表面上A1-x-yBxCy膜のC濃度に対する格子定数の変化を図1に示す。グラフ上の点線はCが置換位置に取り込まれた場合に想定される計算値であり、Cが格子間位置が取り込まれた場合には格子定数が点線より大きくなる。グラフより、低C比率では計算値とよく一致した。これは、Cが主に置換位置に取り込まれたことを表している。一方高C比率ではC比率が増加しても格子定数は下がらなくなった。これは、格子間位置に取り込まれるCが