隔爆一体型电机调速体系部分硬件功率构设情况及控制技术概述.docVIP

　　隔爆一体型电机调速体系部分硬件功率构设情况及控制技术概述 第 1 章 绪论 1.1课题的研究背景及意义 针对我国能源缺油、少气、煤炭资源相对丰富的特点。煤炭能源化工产业将在中国能源的可持续利用中扮演重要的角色[1]。这对煤炭采、掘、运等设备的装机容量、运行的安全稳定和如何有效利用二次能源带来了新的挑战。近年来，交流变频调速系统以其卓越的调速性能、显著的节电效果以及在世界经济各个领域的广泛适用性，在逐步取代直流调速系统的同时，成为最有前途的调速方式[2]。但是，在煤矿井下采掘工作面使用的电气及控制设备，必须是隔爆型或本质安全型。对于一些有爆炸性气体和粉尘比较多的地方，交流变频调速技术还没有得到充分的应用。到目前为止，国内使用的交流变频调速系统与感应电动机仍然是两个独立的系统。我国薄煤层（采高小于 1.3m）储量丰富，约占总储量的 19%。受到作业空间狭窄导致的人员行动不便、采煤机械化程度低等条件的制约，采出量仅占全国总产量的10.4%[3]。这就需要我们寻找一种机械功率大、自动化程度高、可靠性好、整机体积小的采煤设备用于薄煤层的开采工作。以提高我国薄煤层的开采能力。目前，市面上有很多用于煤矿生产作业的煤矿用变频器虽然达到了节能、减排的目标，但是增加了煤矿井下的安装空间以及带来了繁琐的接线负担[4-6]。 1.2课题的国内外研究动态 通常把电力电子技术分为电力电子器件制造技术和电力电子应用技术两个分支。没有晶闸管、电力晶体管等电力电子器件，就没有电力电子技术，而电力电子技术主要用于电力变换。因此可以认为：电力电子器件的制造技术是电力电子技术的物质基础，变流技术则是电力电子技术的核心[7]。从 1904 年以来出现的电子管、晶体管，为电力电子变流技术奠定了基础。70 年代出现的晶闸管使电机控制技术逐渐进入电力电子变频时代，并逐步取代了以往的旋转变流机组。80 年代出现的自关断大功率双极性晶体管（GTR）其性能远远超过半控型器件晶闸管，使其在变频领域迅速占领主导地位。但是，无论是 GTR 还是 GTO 都是电流型器件，都有驱动电流大，开关频率低的缺点。80 年代初期出现的电力场效应晶体管（MOSFET）属于电压型器件，驱动功率小，安全工作区大，开关频率高，但是由于这种器件耐电压、电流能力低，限制了它的应用范围。在 80 年代后期，以绝缘栅双极型晶体管（IGBT）为代表的复合型器件异军突起。IGBT 是 MOSFET 和 BJT 的复合，将 MOSFET 的驱动功率小、开关速度快的优点和 BJT 通态压降小、载流能力大的优点集于一体，性能非常优越。使之成为现代电力电子技术的主导器件。进入 90 年代，为了使电力电子装置的结构紧凑、体积减小，出现了将检测、驱动、保护等功能集成在一起的功率集成器件（IPM）。后来又在 IPM 的基础上，将逻辑、控制等功能集成在一起，构成功率集成电路（PIC）。目前，电力电子器件制造技术正向着高压大功率、高开关频率、高度集成、低驱动功率的方向发展[8-12]。 .. 第 2 章 IGBT 损耗计算及水冷散热器设计 2.1 系统概况 隔爆一体式电机（Explosion-proof integrative motor）将变频电机及调速系统两个部分高度集成在一起。设计受到系统稳定性及空间尺寸的制约，而 EPIM 调速系统的尺寸主要取决于散热器及母线电容。研究表明：合理计算整流器及逆变器损耗、温升可以提高调速系统集成度及稳定性、缩小体积、节约成本。本章针对整流器及逆变器的损耗及温升展开设计工作。在实现过程中，提出一种考虑门极驱动电阻、直流母线电压、温度、结温的解析法计算可控整流器、逆变器 IGBT损耗、温升的计算方案。以及综合考虑 IGBT 电压、电流及结温的 IGBT 选择方案。给出了 SVP 调制算法下逆变器 IGBT 及 Diode 的导通损耗、开关损耗、总损耗、温差及结温的计算方法。考虑到 IGBT 损耗与结温相互影响的特点，利用自定义热路模型，提出以环境温度为初始条件的循环迭代算法，最后给出了 IGBT 结温、壳温及散热器温度曲线。在此基础上，对直流母线电压、门极驱动电阻、环境温度对整流器及逆变器的损耗及温升进行了分析。总结规律，对提高功率开关管损耗及温升计算精度具有指导意义。最后，设计水冷散热器一台，应用温度计算软件进行热流分析，各项指标满足系统要求，为后续 EPIM 整机研制奠定基础。 . 2.2 整流器及逆变器设计 整流器及逆变器直接用于处理电能的主电路之中，根据电力电子器件的发展现状，一般中低压系统可以考虑如下几个方案[82]： （1）采用分立电力电子器件，可以节约成本，但驱动电路过于复杂，稳定性差。 （2）采用将整流、逆变、制动、保护等功能集成一体的 PIM 功率集成模块，具有可靠性好、易于实