刘汉华《数字电子技术》第7章 半导体存储器.pptxVIP

第一节 概述 存储器：存储大量二值信息（或称为二值数据）的半导体器件。 1 用途：在计算机或数字系统中存储数据。 与寄存器等的区别： 锁存器： 直接存1位 触发器： 时钟触发存1位 寄存器： 时钟触发存一组 存储器： 时钟触发存多组 管脚有限，如何实现存大量：以字为单位存取，每字包含若干位。各个字的相同位通过同一引脚与外界联系。每个字分配一个地址，因此内部有地址译码器。 第七章 半导体存储器 2 分类： 1. 掩模ROM 2. 可编程ROM（PROM） 3. 可擦除可编程ROM（EPROM） 2. 随机存储器RAM 1. 静态存储器SRAM 2. 动态存储器DRAM 按功能 (Read- Only Memory) (Random Access Memory) (Programmable ROM) (Erasable PROM) 1. UVEPROM 2. EEPROM 1. 只读存储器ROM 3. Flash Memory (Ultra-Violet) (Electrically) 电可擦除 紫外线擦除 (Static RAM) 快闪存储器 (Dynamic RAM) 只能读出不能写入,断电不失 1. 双极型 按制造工艺 2. MOS型 3 主要指标：存储容量、存取速度。 存储容量:用字数×位数表示，也可只用位数表示。如，某动态存储器的容量为109位/片。 存取速度：用完成一次存取所需的时间表示。高速存储器的存取时间仅有10ns左右。 第二节 只读存储器ROM 一、掩模只读存储器 4 又称为固定ROM。工厂按用户要求生产出来后，用户不能改动。 1.ROM的构成 由若干存储单元排列成矩阵形式。 储存单元：可由二极管、双极性三极管或MOS管构成。 根据地址输入，在存储矩阵中选出指定的字对应的单元，把数据送往输出缓冲器。 增加带负载能力；同时提供三态控制，以便和系统的总线相连。 存储矩阵： 地址译码器： 输出缓冲器： 2.工作原理 5 按组合电路进行分析。 二－四线译码器 A1,A0的四个最小项 字线 地址译码是四个二极管与门； D1= D3 = A0 真值表： 真值表与存储单元有一一对应关系 位线 存储矩阵是四个二极管或门； 用MOS工艺制造的ROM的存储矩阵 6 真值表： 真值表与存储单元有一一对应关系 A1 A0 二、可编程只读存储器PROM 7 存储单元多采用熔丝－－低熔点金属或多晶硅。写入时设法在熔丝上通入较大的电流将熔丝烧断，一旦烧断不能恢复，因此不能多次擦写。 编程时VCC和字线电压提高 be结相当于二极管 8 16字×8位的PROM 十六条字线 八条位线 缺点：不能重复擦除。 24＝16 三、可擦除的可编程只读存储器（EPROM） （一）紫外线擦除的只读存储器（UVEPROM） 9 是最早出现的EPROM。通常说的EPROM就是指这种。 写入：利用雪崩击穿或电荷注入，使存储单元存入数据。电荷可长期保存－－在125℃环境温度下，70%的电荷能保存10年以上。 擦除：用紫外线或X射线擦除。需20~30分钟。 缺点：需要两个MOS管；编程电压偏高；P沟道管的开关速度低。 10 这是一种双译码方式，行地址译码器和列地址译码器共同选中一个单元。每个字只有一位。 256字X1位的PROM结构原理图。 28＝256 11 （二）电可擦除EPROM(EEPROM或E2PROM) 用紫外线擦除操作复杂，速度很慢。必须寻找新的存储器件，使得可以用电信号进行擦除。 快闪存储器就是针对此缺点研制的。 EEPROM的缺点：擦写需要高电压脉冲；擦写时间长；存储单元需两只MOS管。 12 存储单元的工作原理： 1.写入利用雪崩注入法。 2.擦除用隧道效应。 3.读出：源极接地，字线为5V逻辑高电平。 6V 0V 0V 快闪存储器特点：集成度高，容量大，成本低，使用方便。很有发展前途。 5V （三）快闪存储器(Flash Memory） 13 1. ROM的通用结构（RAM也通用） 2.掩模ROM中用户不能改动数据，不方便 可重复擦写的UVEPROM（EPROM），擦除超慢 7.2 ROM的小结： 一次性写入的PROM，不能重复擦写。 存储容量的计算 若地址线有n条（位），则 存储单元数（即字数）＝2n 若数据线有m条（位），则位数＝m 快闪存储器 慢速擦除可重复擦写的EEPROM，擦写需要高电压脉冲 第三节 随机存储器（RAM） 一、静态随机存储器SRAM 14 特点：RAM在工作时可随时对任意指定单元进行读或写操作。使用方便、灵活。但切断电源后，所存信息就会丢失。 动态随机存储器DRAM （一）RAM的结构 1.存储矩阵 2.地址译