1.3μm自组织InGaAsInAsGaAs量子点激光器分子束外延生长 1.3μm InGaAsInAsGaAs Self-Assembled Quantum Dot Laser Diode Grown by Molecular Beam Epitaxy.pdfVIP

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2017-08-03 发布于上海
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1.3μm自组织InGaAsInAsGaAs量子点激光器分子束外延生长 1.3μm InGaAsInAsGaAs Self-Assembled Quantum Dot Laser Diode Grown by Molecular Beam Epitaxy.pdf

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第27卷第3期半导体学报 Vol27No．3 CHINESEJOURNALoF Mar．2006 2006年3月 SEMICoNDUCToRS Self-AssembledDot InGaAs／InAs／GaAs Quantum 1．3pm LaserDiodeGrownMolecularBeam by Epitaxy+ Niu Zhiehuan+，Ni Haiqia0，FangZhidan，Gong Zheng，ZhangShiyong，WuD0nghai Sun Wu Qin，and Zheng，Zha0Huan，PengHongling，Han R0nghan (Institute 100083．China) ofSemiconductors，ChineseAcademy计Sciences，Be讲ng of self—assembled moleeularbeam Abstract：The InGaAs／InAs／GaAs growthmulti-layer quantumdots(ODs)by a laserdiode at incontinuous modeatroomtern- QD 1．33”m epitaxy(MBE)isinvesfigated，and lasing operation is Thefullwidthathalfmaximumoftheband ofthe perature reported edgeemittingpeaks 35meVformostofthe atroom islessthan OD (PL)spectratemperature multi-layersamples，revealinggood，re- force MBE conditions．Moreover，atomic showthattheQDsurface produciblegrowth microscopyimages density be 7×10”cnl一．ThebestPL surface can controlledinthe areobtainedataQD rangefroml×10”to properties ofabout lasers 3and5st