Low K芯片引线键合工艺计算机仿真与参数优化 Computational Modeling and Process Parameter Optimization for Wire Bonding Technology on Low-K Wafers.pdfVIP
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Low K芯片引线键合工艺计算机仿真与参数优化 Computational Modeling and Process Parameter Optimization for Wire Bonding Technology on Low-K Wafers
第8卷,第2期 电子与封装 总第58期
VoI.8.NO.2 2008年2月
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Low
K芯片引线键合工艺计算机仿真与参数优化
黄卫东
(飞思卡尔半导体中国有限公司,天津300385)
K材料具有较高的脆性.在芯片封装测试过程中容易被损坏,因而Cll,low—K的结构的
摘要:Low
引入对芯片的封装工艺提出了很大的挑战。文章中提出引线键合工艺中冲击阶段的近似数学模型,由计
算机仿真结果证实该理论模型的合理性.通过对计算机仿真结果的分析得到优化的LowK芯片引线键合
工艺参数设置范围。实验设计的优化结果表明本研究提出的计算机仿真优化方法是有效的。
关键词:LowK;引线键合;有限元分析;优化
中图分类号:TN305.94文献标识码:A
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具有重要意义的。
引线键合通常包括连续的两个阶段:冲击阶段与
l 引言
超声波键合阶段。在冲击阶段,瓷嘴引导金球以初速度
为降低容性延迟与功率损耗,目前较多的IC设 cV(constantVelocity)打压在芯片铝垫上
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