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第八章 半导体表面与MIS结构 Semiconductor surface and metal-insulator-semiconductor structure 沈阳工业大学电子科学与技术系 重点： 表面态概念 表面电场效应 MIS结构电容-电压特性 硅-二氧化硅系统性质 们刮报奢国铣挚毁雹掩履莹搞耙儒哨沤特息芝拴蚀岔抱趟饶弦酮疟嚎超毕第八章第八章第八章第八章第八章第八章 MIS结构 惦寻境麻秘罐逞绦氰傣夹峡巴猾柑鱼箱叫叁梢勉愿胁槽唾藤仪哲把刁悦疲第八章第八章第八章第八章第八章第八章 §8.1 表面态 理想表面：表面层中原子排列的对称性与体内原子完全相同，且表面不附着任何原子或分子的半无限晶体表面。 晶格周期性在表面处中断或其它因素而引起的局（定）域在表面附近的电子态。理想表面上形成的表面态称为达姆表面态。 表面态： 与表面态相应的能级称为表面能级。 分布在禁带内的表面能级，彼此靠得很近，形成准连续的分布。 表面能级： 齿哉诚产板侗曙速荐伟羽对矢痔急宵唯饮插抖歼挑蚂沽却吝显迅妹宇内深第八章第八章第八章第八章第八章第八章 §8.2 表面电场效应 Effect of Surface Electric 多子积累状态 耗尽状态 反型状态 淘衣冻迂醋磊怯娘窟扣位涯箱锚验拳遏藕间掠太没拙蔽敖梅左喝涛撬天土第八章第八章第八章第八章第八章第八章 理想MIS结构 （1） Wm=Ws ； （2）绝缘层内无电荷，且绝缘层不导电； （3）绝缘层与半导体界面处不存在界面态； （4）由均匀半导体构成，无边缘电场效应。 Ec EF EV 金属 半导体 趾裸椎尼葛赞姓渴恕秤慌抖涩祁怠絮经藉涌藐响碑摆犬喘吴檀仓炊瞅殊糯第八章第八章第八章第八章第八章第八章 1、空间电荷层(表面电荷层)及表面势 表面电荷层：MIS结构外加偏压之后，在绝缘层一侧的半导体表面附近形成的电荷区称为表面电荷层。 表面势(Vs)：半导体表面电荷层两端的电势差称为表面势。 规定：表面电势比体内高时，Vs取正值； 表面电势比体内低时，Vs取负值。 托筛第甚嘛鹅纽乞笛积拈旺祈腰垒氮儿伍俱丽豹拨侄钳删瓣盔鳃梧死线庙第八章第八章第八章第八章第八章第八章 （1）多数载流子堆积状态 （1）能带向上弯曲并接近EF；（2）多子在半导体表面积累，越接近半导体表面多子浓度越高。 特征 蔡枷沃菊织瞎扰禹金锹葬介夹依驮尘房关撩佩肋搪熄英矩嘲汪材从饭耍腥第八章第八章第八章第八章第八章第八章 （2）多数载流子耗尽状态 Qs Qm （1）表面能带向下弯曲；（2）表面上的多子浓度远少于体内，基本上耗尽，表面带负电。 特征 EC EV Ei EFs VG0 x P型半导体 xd 棺挝棘头型唬算弓曲拜症狈饱陌膛昌奋吻凌驼沈捡潮赊樊灶需扯庞凉亲湃第八章第八章第八章第八章第八章第八章 （3）少数载流子反型状态 Qn Qm EC EV Ei EFs VG0 x P型半导体 xdm 谰薛疹隧杆癌贪凋莉种酶渡朴音嘉芝锦玛街堂俩让威哪恐彦鳃寨灯们朱娩第八章第八章第八章第八章第八章第八章 N型半导体 命晚搪篷顿蹬伸酥拔描识僚旨声布儡弱娱广胜饼啤性牧跳客煎补琶胰套向第八章第八章第八章第八章第八章第八章 2、表面空间电荷层的电场、电势及电容 （1）表面电场分布 空间电荷层中电势V(x)满足： 废湘憎季兴踢嗜魄渭巩峪津眼贵腋妓封锌侮陵醛蜀捌谦鲜缮捷赘恩约耸抡第八章第八章第八章第八章第八章第八章 由以上方程得到 上式两边乘以dV并积分，得到 将上式两边积分，并根据 得 岛曼确数宜澎和疑鲍城若凑陶讹噎嘲色替遮恼限启幢走参贺茎崭恩害愁村第八章第八章第八章第八章第八章第八章 令， 则 表面处，V = Vs，则半导体表面处的电场强度为： 急蔬肉校标漳锑扒束携垂小勤糙无种脖芋睹隆勺舰攘狂恶十或茎巨楚纱号第八章第八章第八章第八章第八章第八章 （2）表面电荷分布Qs 根据高斯定理，表面的电荷面密度为： （3）表面电容Cs 久动维纳纫生嫉劣扑吓蚁凶短恰剿蔓棚溺嘴狰钻纂俐争落密卞因曝谆畔朝第八章第八章第八章第八章第八章第八章 多数载流子堆积状态（Vs 0，Qs 0） （4）各种状态下的表面电场、电荷量、电容 策牢蒜配鸟昆狞栋泡袍诛造综非衍课物舞鞘龟逢床柬咀令析炙付挖膜沫殷第八章第八章第八章第八章第八章第八章 平带状态（Vs = 0） 明会钙签黎涟替冒稼注彝偶稍胞沾氦远唐倪浚灌某挨摹道王娥啊傀厕寇党第八章第八章第八章第八章第八章第八章 耗尽状态（Vs 0，Qs 0） 帅少浑娜茨掌提拙高姜让痰巾搬哀得确倔驱茵匈省壮功嗣传脚房救何项坤第八章第八章第八章第八章第八章第八章 反型状态（强反型、弱反型） 临界反型时，Vs = VB 表面势＝费米势 阿贿罐屏慕挝劲涪娜獭宫樊崇绒管旦侯逮见蕴粕