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(自然科学版)2001．4 牡丹江师范学院学报 ·35· 结的结电位差发生变化，因此可以画出简化偏置电 因此发射结的结电位差减小，耗尽层变窄，内电 路如图(3)所示．根据基尔霍夫定律可以得出发射 场减弱，势垒降低，有利于发射区多数载流子大量扩 结的结电位差为 散到基区，成为基区的非平衡少数载流子．而这时集 V’∞=V叠一V矗+V．B=VcE—V矗电结的结电位差增大，耗尽层变宽，内电场增强，势 集电结的结电位差为 垒升高，使基区绝大部分非平衡少数载流子漂移进 V’oc=Vc+V一V跹+Vb 入集电区，形成集电极电流．这时集电极电流符合Ic =Vcc—v雎+V 也就是说外加偏置电压只引起发射结、集电结 3．3饱和区 的结电位差的变化．只要三极管的PN结存在，发射 当V腿、b0，发射结、集电结都正偏时，有 结、集电结的结电位差永远为正，即外加偏置电压必 V70E=VoE—V矗VoE V’OC=Voc—V＆+V@Voc 须保证V匝VcE，V匝一V随Voc．由此可知发射 区、集电区的电位永远比基区的电位高． 因此发射结、集电结的结电位差减小，两耗尽层 3．1 截止区 变窄，致使两结的内电场减弱，势垒降低，有利于发 当V叠0，、k0，发射结、集电结都反偏时，射区、集电区的多数载流子扩散到基区，形成两个方 有 向相反的电流．适当调节V叠×％的大小，可以使 V’哑=V＆一V矗VcE 集电极电流可正、可负、也可为零．这时集电极电流 V’0C=Voc—v匝+％‰ 不再符合Ic=BIB的关系，三极管处于饱和状态． 因此发射结、集电结的结电位差增大，两耗尽层 对于三级管内部载流子的详细运动规律及电流 变宽，致使两结的内电场增强，势垒升高，有利于少 的分配关系，这里不再赘述了，请参考有关电子技术 数载流子的漂移运动，从而形成各电极的电流．但是 文献． 由于少数载流子的浓度极低，各电极的电流极小，三 4 结 语 极管处于截止状态． 运用三极管的物理模型，分析三极管的偏置状 3．2 放大区 态，学生直观形象地弄清了发射结和集电结的电位 当V@V矗O，发射结正偏，集电结反偏时，差、耗尽层、内电场、势垒等在外加偏置电压作用下 有 的变化情况，使他们更容易理解和掌握三极管内部 V’OE=‰一v匝％ 载流子的运动规律及各电极电流的分配关系．这样 V’oc=Voc—v雎+％Voc既简单又直观，条理又比较清楚，很值得同行们借鉴 和推广． 参考文献 蓝鸿翔．电子线路基础：上册(M]．北京：高等教育出版社，1987．229～258 万嘉若．电子线路基础：上册[M]．北京：高等教育出版社，1987．13～20 周良权．模拟电子技术基础[M]．北京：高等教育出版社，1994．51～64 王至正．电子技术基础[M]．北京：高等教育出版社。1988．13～21 施 敏．半导体器件[M]．北京：科学出版社，1992． 编辑：司徒琳莉 王荣芝 王丽波 (牡丹江师范学院 黑龙江 牡丹江 157012) 摘要本文用A