第三章 MEMS制造技术-2(体微加工技术).ppt

干法腐蚀的主要形式： 纯化学过程：（等离子体腐蚀 ) 纯物理过程： (离子刻蚀、离子束腐蚀） 物理化学过程：反应离子腐蚀RIE ，感应耦合等离子体刻蚀ICP 在物理腐蚀方法中，利用放电时所产生的高能惰性气体离子对材料进行轰击，腐蚀速率与轰击粒子的能量、通量密度以及入射角有关； 在化学腐蚀中，惰性气体（如四氟化碳）在高频或直流电场中受到激发并分解（如形成氟离子），然后与被腐蚀材料起反应形成挥发性物质； 在物理化学结合的方法中，既有粒子与被腐蚀材料的碰撞，又有惰性气体与被腐蚀材料的反应。 反应离子刻蚀 反应离子刻蚀（Reactive ion etch）是在等离子中发生的。 随着材料表层的“反应－剥离－排放”周期循环，材料被逐层刻蚀到制定深度。 衡量反应离子刻蚀的指标： 掩模的刻蚀比 刻蚀的各向异性程度 其它：刻蚀速率、刻蚀均匀性等 等离子腐蚀 利用气体辉光放电电离和分解稳定的原子所形成的离子和活性物质，与被腐蚀的固体材料作用，产生挥发性的物质或气态产品。 刻蚀过程主要是化学反应刻蚀，是各向同性的，主要作为表面干法清洗工艺。 离子轰击的作用： 1.将被刻蚀材料表面的原子键破坏； 2.将再淀积于被刻蚀表面的产物或聚合物打掉 DRIE、ICP刻蚀工艺 1.现象 （1）各向同性腐蚀 （2）各向异性腐蚀 （3）溅射腐蚀 等离子体腐蚀的主要现象和特点 （1）速率高 （2）环境清洁，工艺兼容性好。 （3）掩膜选择性好 30：1 （4）表面光洁度好，应力集中少 （5）无晶向限制 主要特点 （1）好的截面形状，易于满足铸模要求。 （2）高的腐蚀速率，适于体硅要求。 （3）利用各向同性腐蚀，满足牺牲层腐蚀要求。 （4）可用于活动结构制作。 （5）可用于高深宽比结构制作。 适应性 第三章 MEMS制造技术——体硅微加工技术 内容 腐蚀工艺简介 湿法腐蚀 干法刻蚀 其他类似加工工艺 腐蚀工艺简介 腐蚀是指一种材料在它所处的环境中由于另一种材料的作用而造成的缓慢的损害的现象。然而在不同的科学领域对腐蚀这一概念则有完全不同的理解方式。 在微加工工艺中，腐蚀工艺是用来“可控性”的“去除”材料的工艺。 大部分的微加工工艺基于“Top-Down”的加工思想。 “Top-Down”加工思想：通过去掉多余材料的方法，实现结构的加工。（雕刻——泥人） 腐蚀工艺简介——腐蚀工艺重要性 作为实现“去除”步骤的腐蚀工艺是形成特定平面及三维结构过程中，最为关键的一步。 图形工艺 掩模图形生成 台阶结构生成 衬底去除 牺牲层去除 清洁表面 腐蚀工艺简介——腐蚀工艺作用 腐蚀 红光LED结构 蓝光LED结构 蓝宝石衬底 红光LED结构 蓝光LED结构 蓝宝石衬底 红光LED结构 蓝光LED结构 蓝宝石衬底 红光LED 蓝光LED结构 蓝宝石衬底 红光LED 蓝光LED 蓝宝石衬底 红光LED 蓝光LED 蓝宝石衬底 蓝光LED结构 蓝宝石衬底 红光LED结构 腐蚀方法 硅腐蚀方法：干法和湿法 腐蚀方向选择性：各向同性和各向异性 腐蚀材料选择性： 选择性刻蚀或非选择性刻蚀 选择方法：晶向和掩模 多种腐蚀技术的应用：体硅工艺（三维技术），表面硅工艺（准三维技术） 湿法腐蚀 湿法腐蚀——“湿”式腐蚀方法，基于溶液状态的腐蚀剂。 湿法腐蚀工艺特点： 设备简单，操作简便，成本低 可控参数多，适于研发 受外界环境影响大 浓度、温度、搅拌、时间 有些材料难以腐蚀 湿法腐蚀——方向性 各向同性腐蚀——腐蚀速率在不同方向上没有差别 各向异性腐蚀——对不同的晶面的腐蚀速率有明显差别 利用各向异性腐蚀特性，可以腐蚀出各种复杂的结构。 各向异性腐蚀和各向同性腐蚀 硅的各向异性腐蚀 是利用腐蚀液对单晶硅不同晶向腐蚀速率不同的特性，使用抗蚀材料作掩膜，用光刻、干法腐蚀和湿法腐蚀等手段制作掩膜图形后进行的较大深度的腐蚀。 机理：腐蚀液发射空穴给硅，形成氧化态Si+，而羟基OH-与Si+形成可溶解的硅氢氧化物的过程。 硅的各向异性腐蚀技术 各向异性(Anisotropy) 各向异性腐蚀液通常对单晶硅(111)面的腐蚀速率与(100)面的腐蚀速率之比很大（1：400） 湿法腐蚀的化学物理机制 腐蚀——生长 晶体生长是典型的各向异性表现。 腐蚀作用：晶体生长的反过程 湿法腐蚀的化学物理机制 腐蚀过程： 反应物扩散到腐蚀液表面 反应物与腐蚀表面发生化学反应 反应物的生成物扩散到溶液中去 各向异性腐蚀的特点： 腐蚀速率比各项同性腐蚀慢，速率仅能达到1um/min 腐蚀速率受温度影响 在腐蚀过程中需要将温度升高到100℃左右，从而影响到许多光刻胶的使用 各向异性腐蚀液 腐蚀液： 无机腐蚀液：KOH, NaOH, LiOH, NH4OH等； 有机腐蚀液：EPW、TM