100nm GaAs MHEMT器件研制 Fabrication of 100 nm T-gate GaAs MHEMTs.pdfVIP

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2017-08-21 发布于上海
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100nm GaAs MHEMT器件研制 Fabrication of 100 nm T-gate GaAs MHEMTs.pdf

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100nm GaAs MHEMT器件研制 Fabrication of 100 nm T-gate GaAs MHEMTs

第32卷第6期固体电子学研究与进展 voI．32．No．6 0FSSE Dec．，2012 2012年12月 RESEARCH＆PROGRESS amGaAs 100 MHEMT器件研制康耀辉+ 徐筱乐高建峰陈辰 (南京电子器件研究所，微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室，南京，210016) 2012—07—07收稿，2012-08—23收改稿 GaAs nrflt的高性能InomAIn48As／Inm53Gao．‘7AsMHEMT(渐变摘要：应用电子束直写技术成功制作了栅长i00 组分高电子迁移率晶体管)。从工艺角度，结合器件的小信号等效电路的理论分析，优化了器件T形栅尺寸与工艺， MHEMT饱和电流达从而减小了器件寄生参数，达到了较好的器件性能。最终制作的Ino．szAIomAs／Ino—Gao—As 到460mA／mm，夹断电压一o．8 V时的最大非本征跨导g。为940mS／mm，截止频率厂t达到220 V，在％为一o．23 GHz。 GHz，最大振荡频率厂m。大于200 关键词：渐变组分高电子迁移率晶体管；T形栅；截止频率中图分类号：TN386文献标识码：A 文章编号：1000—3819(2012)06—0548—03 MHEMTs Fabricationof am GaAs 100 T-gate KANGYaohuiXUXiaoleGAO CHENChen Jianfeng DnMonolithic CircuitsandModules (Scienceand Laboralory， Technology Integrated ElectronicDevices Nanfing Institute，Nanjing，210016，CHN、 i00nm GaAs elec— Abstract：Inthiswork，a 53Gao．t7Asmetamorphichigh InO．52AlO．48As／InoI fabricatedE—beam aviewto tron transistors(MHEMTs)was mobility using lithography．With the circuit the of ba