10 Gbs 0.25 μm CMOS 1∶4键合分接器 A Bonded 10 Gbs 0.25 μm CMOS 1∶4 Demultiplexer.pdfVIP

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2017-08-21 发布于上海
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10 Gbs 0.25 μm CMOS 1∶4键合分接器 A Bonded 10 Gbs 0.25 μm CMOS 1∶4 Demultiplexer

第卷第期固体电子学研究与进展 26 3 VOl. 26 NO. 3 年月 2006 S RESEARCH 8 PROGRESS OF SSE A . 2006 光电集成电路 10 / 0.25 1 = 4键合分接器 Gb s um CMOS 王贵王志功朱恩丁敬峰李伟 (东南大学射频与光电集成电路研究所南京 210096) 2005-10-20 收稿 2005-12-08 收改稿摘要首先分析了: 1 = 4分接器的树型结构及其主要特点在此基础上进一步探讨了树型结构中所用的O 1 = 2 分接器并给出其中的锁存器电路结构此外还讨论了分频器电路及输入输出电路最后分析了超高速键合电路 O O 并给出测试方案O 测试结果表明在采用标准 0.25 pm CMOS工艺设计的分接器中本设计首次达到键合后能够在 -16和 -64所要求的数据速率上稳定工作的性能最高工作速率达 10.58 / O STM STM Gb s 关键词光纤通信分接器键合互补金属氧化物半导体: ; ; ; 中图分类号: 432 文献标识码: 文章编号:1000-3819(2006)03-340-05 TN A 10 / 0.25 1 = 4 A Bonded Gb s um CMOS Demultiplexer WANG Gui WANG Zhigong Z~U En DING Jingfeng LI Wei ( - - 210096 ) Lnstzt~te of RF S LCs So~theast UnzUe1szty Nanjzng CHN Abstract Analysis of the tr ee ar chitectur e of an: 1 = 4 demultiplexer and its specifics detailed r esear ches of 1 = 2 demultiplexer in tr ee ar chitectur e and its latch str uctur e ar e pr esented . The fr eguency divider is discussed together with input and output cir cuits The. effects of the bonding ar e analyzed . The measur ement r esults show that demultiplexer with the 10.58 / . maxim