12～15 GHz 5 W GaAs宽带内匹配功率管及其应用 12～15 GHz 5-Watt GaAs Broadband Internally Matched Transistor and Applications.pdfVIP

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2017-08-21 发布于上海
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12～15 GHz 5 W GaAs宽带内匹配功率管及其应用 12～15 GHz 5-Watt GaAs Broadband Internally Matched Transistor and Applications.pdf

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12～15 GHz 5 W GaAs宽带内匹配功率管及其应用 12～15 GHz 5-Watt GaAs Broadband Internally Matched Transistor and Applications

第28卷第3期固体电子学研究与进展 V01．28．No．3 2008年9月 OFSSE Sep．，2008 RESEARCHPROGRESS 1 GHzWGaAs 2～15 5 宽带内匹配功率管及其应用 2’3。冯军3 钟世昌h 周焕文2 陈堂胜1’2 (1单片集成电路及模块电路国家重点实验室，南京，210016) (2南京电子器件研究所，南京，210016)(3东南大学信息科学与工程学院，南京，210096) 2007．04—03收稿，2007—07—31收改稿摘要：报道了一种新型的砷化镓宽带高效内匹配功率放大器，它采用集总参数与分布参数相混合的匹配电路形式，取用南京电子器件研究所研制的12mm功率PHEMT管芯，研制的内匹配功率放大器在12～15GHz频带内，输出功率大于5W，功率增益大于6dB，相对带宽为25％，典型功率附加效率为25％．关键词：砷化镓；功率放大器；宽带；内匹配中国分类号；TN722．5文献标识码：A 文章编号：i000—3819(2008)03-360-03 GHz Broadband Matched 12,155-WattGaAs Internally Transistorand Applications ZHONG ZHOUHuanwen2CHENG FENG Shichan91’2·3 Tangshenl·2Jun3 (1National Monolithic Circuitsand Key of Laboratory Integrated ElectronicDevices (2Nanjing Institute，Nanjing，210016，CHN) (3InstituteofInformationScienceand Engineering，SoutheastUniversity，210096，CHN) newGaAsbroadbandand efficient matched isre— Abstract：A high internallypoweramplifier eoexistant ofthe anddistributed is inthis components ported paper．The technologylumped one12mm PHEMTtransistormade ElectronicDevicesInstitute， power by used．Using Nanjing a and