156 GHz 0.15 μm GaAs Metamorphic HEMT器件研制 High Performance 0.15 μm GaAs Metamorphic HEMTs with 156 GHz Transit Frequency.pdfVIP

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2017-08-22 发布于上海
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156 GHz 0.15 μm GaAs Metamorphic HEMT器件研制 High Performance 0.15 μm GaAs Metamorphic HEMTs with 156 GHz Transit Frequency

第30卷第1期固体电子学研究与进展 V01．30，No．1 2010年3月 OFSSE Mar．，2010 RESEARCHPROGRESS GHz GaAs 156 0．15lam Metamorphic HEMT器件研制康耀辉。高建蜂黄念宁陈堂胜 (南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室，南京，210016) 2008—12—15收稿，2009一Ol—16收改穑 GaAsMHEMT．从摘要：应用电子柬直写技术成功制作了栅长0．15gtm的高性能Ino．52A10-48As／In053GaoⅢAs 工艺角度，结合器件的小信号等效电路的理论分析，优化了器件源漏间距，从而减小了器件寄生参数，达到了较好的 mA／mm。夹断电压一0．8 器件性能。最终制作的In052A1。．．。As／In0．53Gao‘7AsMHEMT饱和电流达到495 V。在V0 032 GHz． GI-h，最大振荡频率厂1．。大于150 为一0．19V时的最大非本征跨导g。为1 mS／mm，截止频率^达到156 关键词：渐变组分离迁移率晶体管；T形栅；截止频率文献标识码：A 文章编号：1000—3819(2010)01—0051-03 中图分类号：TN386．3 PerformanceGaAs HEMTs High 0．15lam Metamorphic with156GHzTransit Frequency KANGYaohuiGAO HUANG CHENG Jianfeng Nianning Tangsheng and (National ofMonolithic CircuitsModules， KeyLaboratory Integrated ElectronicDevices Nanjing Institute，Nanjing，210016，CHN) this GaAsmetamor- Abstract：Inwork，a0．15 o．53Gao．‘?As pmgatelengthIn0．52A10．48As／In electron fabricatedE—beam transistors(MHEMT)waslithography．In phichigh mobility using