0.18μm浮栅Flash存储器件的总剂量辐射效应试验研究 Experimental Study on Irradiation Effects in 0.18 μm Floating Flash Memories.pdfVIP

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2017-08-21 发布于上海
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0.18μm浮栅Flash存储器件的总剂量辐射效应试验研究 Experimental Study on Irradiation Effects in 0.18 μm Floating Flash Memories

第31卷第1期固体电子学研究与进展 V01．31．No．1 2011年2月 RESEARCH SSE Feb．，2011 8乙PROGRESSOF 彳＼—。、pppp≯popppq．冬器件物理与器件模拟≮ ’“_p一一p—do一、pp一寸’ 0．18um浮栅Flash存储器件的总剂量辐射效应试验研究范雪h2+李平1’2 谢小东1 李辉1 杨志明2 丛伟林2 (1电子科技大学微电子与固体电子学院，电子薄膜与集成器件国家重点实验室，成都，610054) (2成都华微电子科技有限公司，成都，610041) 2010—03—31收稿，2010—06—28收改稿摘要：针对自主设计的4Mbit基于0．18 ptm商用CMOSflash工艺的浮栅flash存储器件进行了钴一60丫射线辐射效应试验研究。该存储器为FPGA的配置存储器。通过对被测器件分组，在加电配置和未加电配置条件下分别进行了钴一607射线辐射效应试验。试验实时监测了被测器件的工作电流以及其配置FPGA功能随总剂量变化的特性，在国内首次测试了该工艺尺寸的flash存储器件的总剂量辐射效应特性。得到了其工作电流漂移的总剂量阈值为45krad(Si)和功能失效总剂量阈值为92krad(Si)的试验结果。关键词：浮栅flash存储器件；总剂量效应；y射线中图分类号：TN43文献标识码：A 文章编号：1000—3819(2011)01-0044—04 onIrradiationEffectsin Study Experimental 0．18 FlashMemories lam Floating FANXuel‘2LI XIE IAHuilYANG CONGWeilin2 Pin91’2 Xiaodon91 Zhimin92 MicroelectronicsandSolid-stateElectronics，State ElectronicThinFilms (1Schoolof Key of Laboratory and ElectronicScienceand 10054，CHN) IntegratedDevices，Universityof TechnologyofChina，Chengdu，6 Microelectronics (2 Si．o Chengdu TechnologyCo．Ltd，Chengdu，610041，CHN) theCo一60radiationtestresultsof 0．1 flash Abstract：This 8／．tm paperreports 4-megabit underbiasedandunbiasedconditions．Theflash is for