0.2 μm GaAs PHEMT 3.1～10.6 GHz宽带低噪声放大器设计 Design of 3.1～10.6 GHz Wideband Low Noise Amplifier with 0. 2 μm GaAs PHEMT.pdfVIP

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2017-08-21 发布于上海
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0.2 μm GaAs PHEMT 3.1～10.6 GHz宽带低噪声放大器设计 Design of 3.1～10.6 GHz Wideband Low Noise Amplifier with 0. 2 μm GaAs PHEMT

第27卷第l期固体电子学研究与进展 V01．27．No．1 2007年2月 SSE Feb．，2007 RESEARCHPROGRESS0F j、pppp≯u”唧冬射频与微波≮ hds＼pdo■pd^dE、，0 0．2 GaAsPHEMT um 3．1～10．6GHz宽带低噪声放大器设计华明清王志功丁敬峰 (东南大学射频与光电集成电路研究所，南京，210096) 2006一03一08收稿，2006一05—28收改稿 GaAs 摘要：采用OMMIC公司提供的o．2弘mPHEMT工艺(^一60GHz)设计并实现了一种适用于宽带无线通信系统接收前端的低噪声放大器。在3．1～10．6 dB；增益波动2 GHz的频带内测试结果如下：最高增益为13 dB；输入回波损耗S。。～11dB；输出回波损耗S22一16dB；噪声系数ⅣF3．9dB。5V电源供电，功耗为120 mm×o．9 mW。芯片面积为o．5 mm。与近期公开发表的宽带低噪声放大器测试结果相比较，本电路结构具有芯片面积小、工作带宽大、噪声系数低的优点。关键词：低噪声放大器；赝晶高电子迁移率晶体管；有源匹配；噪声系数中国分类号：TN492 文献标识码：A 文章编号：1000一3819(2007)01一032一05 of3．1～10．6GHzWidebandLowNoise Design Amplifier with GaAsPHEMT 0．2Um HUA WANG DING Mingqing Zhigong Jingfeng (I挖蹦tM把毋RF一＆oE—lCs，SoMthmn U掰口ersi￡，．N口哟汛g。210096，CHN) lownoise is Abstract：A amplifier(I。NA)for desjgned andfabricated0MMIC’s GaAs electron using O．2弘m PHEMT(pseudomorphichigh mobility The oftheI。NAhavebeenmeasuredinthe transistors)technology．performances frequency of dB 3．1～10．6GHz．The is14 and return10ssesare一11 range