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0.5μm AlGaNGaN HEMT及其应用 0.5 μm AlGaNGaN HEMT and Its Application

0.5 μmAlGaN/GaNHEMT及其应用任春江王泉慧刘海琪王雯李忠辉孔月婵蒋浩钟世昌陈堂胜张斌南京电子器件研究所，微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室，南京，210016 2011-05-12 2011-06-18 摘要：报道了采用I线步进光刻实现的76.2mmSiC衬底0.5μmGaNHEMT。器件正面工艺光刻均采用了I线步进光刻来实现，背面用通孔接地。栅脚介质刻蚀采用一种优化的低损伤RIE刻蚀方法实现了60°左右的侧壁倾斜角，降低了栅脚附近峰值电场强度，提高器件性能和可靠性。研制的GaNHEMT器件fT为15GHz，fmax为24GHz, 6GHz下的MSG为17dB，满足C波段及以下频段应用要求。对1.25mm栅宽GaNHEMT在2GHz、28V工作电压下的负载牵引，最佳功率匹配的功率附加效率66％，对应输出功率以及功率增益分别为38.0dBm和17.3dB。对大栅宽GaNHEMT器件的版图进行了优化以利于散热，并将其应用于输出功率60W的L波段功率模块末级开发。 I线步进光刻；铝镓氮/氮化镓;高电子迁移率晶体管；场板;难熔栅 TN304;TN38 A 1000-3819(2011)05-0433-05 0.5μmAlGaN/GaNHEMTandItsApplication RENChunjiang WANGQuanhuiLIUHaiqi WANGWen LIZhonghui KONG Yuechan JIANGHao ZHONGShichang CHENTangsheng ZHANG Bin 434 435 436 [C].IEEEInternationaiReliabilityPhysicsSympo sium,2006:95-98. @@[2] InoueY,MasudaS,KanamuraM,etal.Degrada tion-modeanalysisforhighlyreliableGaN-HEMT [C].IEEEMTT-sDigest,2007:639-642. @@[3] LeeS,VeturyR,BrownJD,etal.Reliabilityassess mentofAlGaN/GaNHEMTtechnologyonSiCfor48 Vapplications[C]. IEEEInternationalReliab-ility PhysicsSymposium,2007:446-449.