1.2～1.4GHz300W宽带硅微波脉冲大功率管 1.2～1.4GHz 300W Broadband Silicon Microwave Pulsed High Power Transistors.pdf

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2017-08-21 发布于上海
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1.2～1.4GHz300W宽带硅微波脉冲大功率管 1.2～1.4GHz 300W Broadband Silicon Microwave Pulsed High Power Transistors

第32卷第4期固体电子学研究与进展 Vol_32。No．4 2012年8月 OFSSE Aug．，2012 RESEARCH＆PROGRESS GHz 1．2～1．4 300 W宽带硅微波脉冲大功率管王因生。丁晓明蒋幼泉傅义珠王佃利王志楠盛国兴严德圣 (南京电子器件研究所，南京，210016) 201I-10一17收稿，2012—02—09收改稿摘要：介绍了L波段宽带硅微波脉冲300W大功率晶体管研制结果。该器件采用微波功率管环台面集电极结终端结构、非线性镇流电阻和热稳定等新工艺技术，在1．2～1．4GHz频带内，脉宽150ps，占空比10％和40V工作 dB，效率大于55％。电压下，全带内脉冲输出功率大于300W，功率增益大于8．75 关键词：硅；微波；功率管；镇流电阻中图分类号：TN323+．4文献标识码：A 文章编号：1000—3819(2012)03—0356—05 GHzWBroadbandSiliconMicrowavePulsed 1．2～1．4 300 PowerTransistors High WANG DING FUYizhuWANGDianli Yin5he“g XiaomingJIANGY。uquan 。 WANGZhinanSHENG YANG Guoxing Desheng (NanjingElectronicDevicesInstitute，Na彬ng，210016，CHN) thenovel suchasso—calledmesa terminationstructure Abstract：Usingtechnologies junction transistorandheat withone resistorofmicrowave stability， guardring、un—linearblasting power theL—band transistorhasbeen resultsshowthatthe siliconpulsedpower developed．The pulsed dBandthe is isover300W，the ismorethan8．75 collector outputpower powergain efficiency morethan the from1．2～1．4GHzundertheconditionsof40V 55％covering supply