(Pb1-xSrx)TiO3系铁电薄膜的极化反转特性 Polarization Reversal Characteristics of (Pb1-xSrx)TiO3 Frroelectric Thin Films.pdfVIP

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2017-08-21 发布于上海
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(Pb1-xSrx)TiO3系铁电薄膜的极化反转特性 Polarization Reversal Characteristics of (Pb1-xSrx)TiO3 Frroelectric Thin Films

第28卷第3期固体电子学研究与进展 V01．28，N。．3 2008年9月 RESEARCHPROGRESSOFSSE Sep．。2008 钟锐1王茂祥矿筒余良1穆志纯1 (1东南大学电子科学与工程学院，南京，210096)(2南京大学工程管理学院，南京，210093) 2007-03—29收穑，2007-06—21收改稿压测试了其极化反转特性。测试结果表明，所制备的PST铁电薄膜的电流密度峰值达101A／mmz量级，开关时问可达1．0 ms左右，极化反转特性较好，有望未来在Si基集成单片红外探测焦平面阵列研制中加以应用。关键词：钛酸锶铅；铁电薄膜；磁控溅射；极化反转中图分类号：0484文献标识码：A 文章编号：1000-3819(2008)03．351．04 Reversal PolarizationCharacteristics FrroelectricThinFilms ZHONGRuilWANG JIAN MUZhichunl Maoxian92Yulian91 QSchoolElectronicScienceand of Engineering，Southeast (eSchoolof and ManagementEngineering，NanjingUniversity。Nanjing，210093，CHN) Abstract：The ferroelectricthinfilmswere Si—based(Pbl—lSr：)ri03 preparedsuccessfullyby inthis reversalcharacteristics magnetronsputteringpaper．Thepolarization ferroeleetriethinfilmsweremeasured withdouble anddoubleim．． bysquare··wavevoltage polarity of reversalcurrentwas orderand pulse．Thedensitypeakpolarization 10一‘A／mm2 polarization reversaltimewas1．0msorso．The ofSi—basedferroelectriethinfilmswithexcellent preparation is the beneficialto fabricationofSi-based IRfocal device． properties singlechip planearray thin re- Keywords：(PbI--*Sr，)Ti03；ferroelectricfilms；magnetron versal EEACC：2520 实现光、声、电、热、磁功能的全面集成，因而有着较引言高的潜在性能及较好的应用前景。为此，迫切需要