15～17 GHz高精度单片数控移相器的研制 15～17 GHz High Precision Digital Phase Shifter MMIC.pdfVIP

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2017-08-22 发布于上海
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15～17 GHz高精度单片数控移相器的研制 15～17 GHz High Precision Digital Phase Shifter MMIC.pdf

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15～17 GHz高精度单片数控移相器的研制 15～17 GHz High Precision Digital Phase Shifter MMIC

第30卷第1期固体电子学研究与进展 V01．30，No．1 2010年3月 0FSSE Mar．，2010 RESEARCHPROGRESS 15～17 GHz高精度单片数控移相器的研制潘晓枫1’2。沈亚1 洪伟2 (1南京电子器件研究所，南京，210016)(2东南大学信息科学与工程学院，南京，210096) 2009．03．18收稿，2009．06—15收改稿 GaAs 摘要：采用南京电子器件研究所4英时0．25pm PHEMT工艺技术，设计、制作Ku波段GaAsMMIC六 ITlm×1．1mm×0．1 位数控移相器芯片，芯片尺寸为3 mill。在15～17GHz设计频带内，该移相器具有优良的电性能，插人损耗小于9dB，移相精度(尺郴)小于1。，输入输出电压驻波比小于1．4。关键词：砷化镓；移相器；高电子迁移率场效应晶体管；微波单片集成电路中图分类号：TN432文献标识码：A 文章编号：1000-3819(2010)01—0054—05 15～17GHz PrecisionPhaseShifterMMIC High Digital PAN SHENYalHONGWei2 Xiaofen91·2 ElectronicDevices (1Nanjing Institute。Nanjing，210016，CHN) (：Schoolof Scienceand Information Engineering，Southeast describesconsiderationand ofaKu—bandmonolith— Abstract：This paper design performance ie NEDI shifter shifter O．25 GaAsPHEMT 6-bit phase utilizing pm process．Thedevelopedphase demonstratesanoverall than1。andaninsertionlOSSvariationless phasedeviation(尺MS)less than dBrmsfrom15to17GHz．Forall states．themeasuredinsertionlOSSis9dBandthe 0．4 64 mm ySⅣRislessthan1．4．The sizeofthemonolithicshifteris3mm×1．1X0．1 chip phase mm． shifter；PHEMT；MMIC