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1200 V常开型4H-SiC VJFET 1 200 V Normally-on 4H-SiC VJFET

第31卷第2期固体电子学研究与进展 V01．31，No．2 2011年4月 RESEARCH＆PROGRESSOFSSE Apr．，2011 1200 VJFET V常开型4H—SiC 倪炜江。李宇柱李哲洋李赞管邦虎陈征柏松陈辰 (南京电子器件研究所，单片集成电路和模块国家级重点实验室，南京，210016) 2011-ol一12收稿．2011—02—22收改稿摘要：用沟槽和离子注入方法在自主外延的4H导通型碳化硅晶圆上研制了垂直沟道结型场效应晶体管 200 (VJFET)。在栅电压％=一loV时阻断电压达到1 V；在代=2．5V，yD=2V时的电流密度为395A／cm2，相应的比导通电阻为5．06mn·cm2。分析发现欧姆接触电阻是导通电阻的重要组成部分，改善欧姆接触可以进一步降低导通电阻。关键词：4H碳化硅；常开型；垂直沟道结型场效应晶体管；比导通电阻中图分类号：TN386文献标识码：A 文章编号：1000．3819(2011)02一0103-04 V 1200 4H—SiCVJFET Normally—on N1 LIYuzhu L1YunGUAN Weijiang L1Zheyang Banghu CHEN BAI CHENChen Zheng Song circ越ts烈dModuks，㈣nti强azKeyLnbor口tory“MonozitkcI’ltegr口ted N卿Ⅳ咒gEklrD孔掂De可ifFs厶盯矗越把，Ⅳ魍声ng，2l0016，c．HⅣ) channel fieldeffect fabricatedbasedon Abstract：Avertical junction transistor(VJFET)was SiC withtrenchedand method．Its is to1200V in—house up epitaxy implanted blockingV01tage at bias Vanddraincurrent is395 at Vand V， gate yG一一10 density A／cm2 yG=2．5 yD=2 withrelated on—resistancemn·cm2．Further revealsthattheon—resistance specific 5．06 analysis onohmiccontactresistance．The on—resistancecanbefurtherreduced dependsgreatly specific by ohmiccontact．