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加工、测量与设备 MEMS THz滤波器的制作工艺 郑莫彬，施志贵，席仕伟，赵龙，李 红，赵兴海 (中国工程物理研究院电子工程研究所，四川 绵阳621900) 摘要：基于MEMS技术制作了太赫兹(THz)滤波器样品，研究了制作滤波器的工艺流程方案， 其关键工艺技术包括硅深槽刻蚀技术、深槽结构的表面金属化技术、阳极键合和金一硅共晶键舍技 术。采用4btm的热氧化硅层作刻蚀掩膜，成功完成了800m的深槽硅干法刻蚀；采用基片倾斜放 置、多次离子束溅射和电镀加厚的方法完成了深槽结构的表面金属化，内部金属层厚度为3～ 5／tin；用硅一玻璃阳极键合技术争金一硅共晶键合技术实现了三层结构、四面封闭的波导滤波器样 品加工。测试结果表明，研制的滤波器样品中心频率138GHz，带宽15GHz，插损小于3dB。 关键词：微电子机械系统(MEMS)；滤波器；太赫兹(THz)；干法刻蚀；键合 中图分类号：TN703文献标识码：A文章编号：1671—4776(2011)06—0399—04 of FabricationProcessMEMSTHzFilters Shiwei，Zhao ZhengYingbin，ShiZhigui，Xi Long，LiHong，ZhaoXinghai (InstituteElectronic 621900，China) of Engineering·ChinaAcademyofEngineeringPhysics，Mianyang Abstract：Theterahertz(THz)filterwasrealized，andthe flowschemewas process investiga— tedwiththe asthe micro-electronicmeehanical silicon systems(MEMS)techniques，suchdeep trench metallizationof trench，anodicandAu—Sieutectic etching，surface deep bonding bonding thermaloxidation of wasservedasthe silicon(Si02)film mask， techniques．The 4／xm etching thefilterwiththetrenchesof wasfabricated surface depth bydryetchingtechnique．The 800／tm metallizationwasobtainedwiththesubstratetilted theionbeam through sputteringdeposition and thicknessofth