2 陶瓷和玻璃.pptx

第2章 陶瓷和玻璃;一、基础知识;陶瓷和玻璃材料以其特有的性能，在电子工业中得到了广泛使用 ;二、用于微电子的陶瓷互连;一般，薄膜工艺不用来加工完整的集成电路，而是制作导线网络、桥堆以及用硅半导体工艺加工有特殊性能要求的元件或功能模块，像高精度、高温度系数的电阻或电阻网络等。因为这种加工工艺较厚膜工艺会使体积更小、高频性能更好，有这种要求的场合也用来加工完整的IC;气相沉积技术：利用气相之间的反应，在各种材料或制品表面沉积单层或多层薄膜，从而使材料或制品获得所需的各种优异性能;物理气相沉积 气相物质的产生 蒸发镀膜镀料加热蒸发 溅射镀膜有一定能量的离子轰击靶材（镀料），从靶材上击出镀料原子 气相物质的输送 真空，避免镀料原子与气体碰撞妨碍气相镀料到达基片 在高真空度的情况下（真空度为10-2Pa），很少碰撞，直线前进到达基片 低真空度时（如真空度为10Pa），碰撞而绕射，但只要不过于降低镀膜速率，还是允许的 如真空度过低，镀料原子频繁碰撞会相互凝聚为微粒，则镀膜过程无法进行;气相物质的沉积--是一个凝聚过程;蒸发镀膜在高真空中用加热蒸发的方法使镀料转化为气相，然后凝聚在基体表面的方法;合金膜的镀制 ;化合物的镀制 ;蒸镀用途 ;溅射镀膜：是指在真空室中，利用荷能粒子轰击镀料表面，使被轰击出的粒子在基片上沉积的技术。其中离子溅射指入射离子的能量在100eV～10keV范围时，离子会从固体表面进入固体的内部，与构成固体的原于和电子发生碰撞，固体原子飞离固体表面;合金膜的镀制 多靶共溅射，控制各个控靶的溅射参数，可以得到一定成分的合金膜 合金靶（单靶）溅射，得到与靶材成分一致的合金膜 化合物膜的镀制 可选用化合物靶溅射和反应溅射 大规模镀制化合物膜采用反应溅射在金属靶材进行溅射镀膜的同时，向真空室内通入反应气体，金属原子与反应气体在基片上发生化学反应即可得到化合物膜;溅射的用途 机械功能膜：耐磨、减摩、耐热、抗蚀等表面强化薄膜材料、固体润滑薄膜材料 物理功能膜：电、磁、声、光等功能薄膜材料等;MoS2可用化学反应镀膜法制作，但是溅射镀膜法得到的膜致密性好，附着性优良，摩擦系数很低，在0.02～0.05范围内。但其对Ag，Cu，Be等基体材料目前还不能涂覆，同时随湿度增加，成膜的附着性变差，在大气中使用要添加Sb2O3等防氧化剂 溅射法可以制取聚四氟乙烯膜固体润滑剂，润滑特性不受环境湿度的影响，可长期在大气环境中使用，其使用温度上限为50℃，低于一260℃时才失去润滑性， MoS2、聚四氟乙烯等溅射膜，在长时间放置后性能变化不大，这对长时间备用、突然使用又要求可靠的设备如防震、报警、防火、保险装置等是较为理想的固体润滑剂;离子镀：是将镀层材料气化并电离成离子，通过扩散和电场作用，沉积于制件表面，镀膜的同时，采用带能离子轰击基片表面和膜层，形成与基体牢固结合的满足所需性能的镀覆层;良好的结合强度 离子轰击对基片表面的清洗作用可以除去其污染层 形成共混的过渡层，由膜层和基片界面上的一层由镀料原子与基片原子共同构成 离子轰击的热效应足以使界面处产生扩散层，形成冶金结合 残余应力为压应力，可抵消部分拉应力 离子轰击可以提高镀料原子在膜层表面的迁移率，这有利于获得致密的膜层 如果离子能量过高会使基片温度升高，使镀料原子向基片内部扩散，获得渗层，离子镀转化为离子渗镀 离子渗镀的离子能量为1000eV左右;离子镀的种类很多。其绕射性均很好，能镀覆制件上各个方向的表面 可在金属或非金属表面上镀覆金属或合金 镀层厚度一般为2～3mm 已广泛用于机械、电子、航空、航天、轻工、光学和建筑等部门 用以制备耐磨、耐蚀、耐热、超硬、导电、磁性和光电转换等镀层 氩离子的轰击会使膜层中的氩含量升高， 另外由于择优溅射会改变膜层的成分 空心阴极离子镀（HCD） 多弧离子镀 离子束辅助沉积;;化学气相沉积CVD：在相当高的温度下，混合气体与基体的表面相互作用，使混合气体中的某些成分分解，并在基体上形成一种金属或化合物的固态薄膜或镀层;CVD的化学反应;CVD的特点; CVD的方法;CVD的应用;PVD和CVD两种工艺的对比;成本比较 最初的设备投资PVD是CVD的3～4倍 而PVD工艺的生产周期是CVD的1／10 在CVD的一个操作循环中，可以对各式各样的工件进行处理，而PVD就受到很大限制（绕镀性） 综合比较可以看出，在两种工艺都可用的范围内，采用PVD要比CVD代价高;;2.厚膜电路;厚膜材料是一类涂料或浆料，由一种或几种固体微粒（0.2～10微米）均匀悬浮于载体中而形成 厚膜的性质和用途,所用的浆料有五类:导体、电阻、介质、绝缘和包封浆料 厚膜导体浆料中，除了粒度合适的金属粉或金属有机化合物外，还有粒度和形状都适宜的玻璃粉或金属氧化物，以及悬浮固体微粒的有机载体