高等半导体物理Chapter 3 半导体超晶格物理.pdfVIP

第三章 半导体超晶格物理 §3.1 超晶格的定义与分类 §§33.22 超晶格的子能带超晶格的子能带 §§3.3 应变超晶格应变超晶格 §3.4 掺杂超晶格 §3.5 超晶格结构的伏安特性 §3.6 应变硅结构器件 §§33.77 超晶格结构的器件应用超晶格结构的器件应用 第三章 半导体超晶格物理 §3.1 超晶格的定义与分类 §§33.22 超晶格的子能带超晶格的子能带 §§3.3 应变超晶格应变超晶格 §3.4 掺杂超晶格 §3.5 超晶格结构的伏安特性 §3.6 应变硅结构器件 §§33.77 超晶格结构的器件应用超晶格结构的器件应用 §3.1 超晶格的定义与分类 33.11.11 超晶格结构的提出超晶格结构的提出 3.1.2 超晶格结构的定义 3.1.3 超晶格结构的分类 3.1.1 超晶格结构的提出 1970年，日本科学家江崎和华裔科学家朱兆祥在寻找具有微分电阻的新 器件时器件时，提出了提出了一个全新的革命性概念个全新的革命性概念：半导体超晶格半导体超晶格。他们设想他们设想，如果如果 用两种晶格匹配很好的半导体材料A和B交替生长周期性的半导体结构，则 电子沿子沿生长轴方向的连续能带将分裂成几个子带长轴方向的连续能带将分裂成几个子带，在波矢空间中在波矢空间中电子沿布子沿布 里渊区边缘运动，出现负阻。这种运动在实空间中表现为来回振荡，这将 大大提高器件的工作能力。 与此同时，分子束外延技术也在美国贝尔实验室和IBM公司开发成功．新 思想和新技术的巧妙结合，制成了第一类晶格匹配的组分型AlxGa1-xAs/GaAs 超晶格，标志着半导体材料的发展开始进入人工设计的新时代． 分子束外延是目前薄膜生长技术中最先进的技术分子束外延是目前薄膜生长技术中最先进的技术。这种技术利用定这种技术利用定 向分子束流在单晶衬底上淀积，所以能够精确地控制薄层的厚度， 其精度可以达到单原子层的程度。 半导体超晶格结构的优点 半导体中的自由电子局限在一个平面内运动，成为准二维电子气 。 6 2 电子迁移率远大于体材料。在4.2K下达到2 ×10 cm /Vs ，在77K下 5 2 2 达到1.2×10 cm /Vs ，室温下达到9200 cm /Vs 。 可以进行能带设计。由于量子阱、超晶格是由两种不同材料组成， 所以可以选择不同的材料，设计具有不同禁带宽度和光学性质的量 子阱和超晶格结构，制作新型的光电器件，这成为“能带剪裁工程”。 阈值电流密度低。由半导体超晶格结构制成的半导体激光器的阈值 电流密度低，大概是普通半导体激光器的三分之一，所以功耗大大 降低。而且可以从材料、组分和厚度对交替生长的超晶格结构进行 控制控制，这样就可以发射不同的光波长这样就可以发射不同的光波长，满足应用时满足应用时对不同波长的对不同波长的要求要求。 因此，量子阱和超晶格在光双稳态器件、红外探测器以及共振隧道 器件等方面也有许多新的应用。 半导体超晶格的发展半导体超晶格的发展 随着半导体生长技术的提高，材料的种类已由开始时的GaAs/AlGaAs 超晶格结构扩展到超晶格结构扩展到IInAlAAlAs//IInGGaAAs，IInAAs//GGaSbSb，CdTCdTe//HHgTTe，FFeSbSb /SnSb等，近年来又从化合物发展到Ge，Si元素半导体，已研制出Si/Ge 超晶格超晶格。利用非晶态利用非晶态Si、Ge、Si N 和和SiC等也可以制成非晶态半导体超等也可以制成非晶态半导体超 33 44 晶格，而且实验上已经观察到了一系列奇异的光、电现象。 超晶格具有可由人工设计的奇异特性超晶格具有可由人工设计的奇异特性，对它的研究受到了各国的重视对它的研究受到了各国的重视。 超晶格材料被认为是21世纪新型电子器件的支柱材料。