砷化镓（GaAs）材料质量表征技术的新进展.pdfVIP

第 2O卷 4期 半 导 体 杂 志 1995年 l2月 ，， 砷化镓 (GaAs)材料质量表征 技 术 的 新 进 展 (电子都 46研究所 300220) 摘 要 本文综述了近年来砷化镓材料质量表征技术的新进展，包括半绝缘砷化镓体单晶和外延薄 f 膜材料两个方面。着重指出了材料表征技术时材料研制和器件应用的重要作用。 关键词：GaAs；垫 坚 砷^己 一 言 3 砷化镓 (GaAs)材料已成为硅以外的最重要半导体材料，它的独特性能使它在制作微 波、毫米波器件，单片集成电路，光电子器件等方面具有广阔的应用前景 GaAs材料研制的进展是与材料的测量表征技术相互推动而发展的。我国在八五期间， GaAs材料的研制水平和表征技术都有了长足的进步，进一步缩短了与国际水平的差距，在 这一时期材料的表征技术主要集中在以下几个方面： 1．对非掺杂液封直拉法生长的半绝缘GaAs(LEc SI-GaAs)的补偿机理及其与退火的 关系作了更深入细致的研究； 2．对材料的微区电学参数和行为作了系统的研究，建立了相应的测试方法和系统； 3．开展了SI—GaAs中深中心的研究，并对器件的光敏效应、背栅效应等现象进行了探 讨； 4．开展和完善了红外吸收谱，x线双晶衍射等非破坏性测量技术； 5．进一步提高了测量方法的分辨率和自动化程度。 由于针对不同要求，不同材料发展起来的表征技术多种多样，本文仅就LEC SI-GaAs 体材料和薄膜材料中较为常用的某些技术的进展作一概述。 二、非掺杂LEC SI—GaAs体单晶质量表征 非掺杂LEC SI—GaAs是最重要的GaAs材料，它既可以直接用于离子注入形成有源层 ·1- 第 2O卷 4期 半 导 体 杂 志 以翮作GaAs MESFET器件与电路，也可以用作外延薄膜材料的衬底 1．SI．GaAs补偿机理研究与潮量技术 1980年Martin等人提出了非掺杂SI-GaAs的补偿模型．认为是作为主要深施主缺陷 EL2与受主C的补偿，但对EL2缺陷形成的机理迄今尚无统一意见，一般认为是与过量As 相关，即A％．反位缺路。对EL2和C浓度的测量r主要采用局域振动模红外吸收谱 EL2浓度的测量早期一般用1．1 m红外光和Martin标定困子，在 1．1ttm波长处，电 中性EL2。的光电离截面约为电离的EL2 光电离截面的3倍，Martin标定困子是在全部 EL2中心均在电中性状态下标定的。因此，用此法测得的EL2浓度基本上只反映电中性 EL2。浓度，而总的EL2浓度为： [EL23=[EL2。]+[EL2 ] (1) 近年来，人们用多波长红外吸收法分别测出EL2。和EL2 ．进而得出总的EL2浓度，其原 理如下； 选取对EL2光敏感的波长 和 ，测出其光吸收系数a(^)和 ( )，则有： 口(^)= (^)EELZ。]+口．(^)EELZ ] (2) 口( ) ()EEL2。]+ ( )[EL2 ] (3) 解出： EEL2~ =拳躺 ㈨ EEL2