离子束溅射沉积羟基磷灰石涂层钛种植体材料的制备和表征.pdfVIP

E ／ 离子束溅射沉积羟基磷灰石涂层钛种植体材料的制备和表征 ’ ／／ 王昌祥‘，陈治清 ，邱 静 ，管利民 ， 培录 ，郑思孝 ，廖小东 一 华西医科大学口腔医学院材料研究室，四川成都61004-1； r ：四川大学厦子核科学技术研究昕，辐射物理与技术国家教委开放实验室．四JIi成都610064 摘 要： 采甩Ar 离子束溅射沉积技采在钍基体上沉积轻基 下烧结3h，随炉冷却至室温。x射线衍射结果表明，所黼备的 磷灰石薄膜案层．Ar 离子束的能量分别为0 9keV、1 2keY和 羟基磷灰石的衍射峰与标准图谱(PDFSM：9 0432) 致，证 1 5keV 利甩x射线衍射(XRD)、扫描电镜(sEM)、透射电镜 明为高纯、晶形完整的羟基磷灰石。 (TEM)和虹外光谱(FTIR)等检剥方法．对制备的羟基碡灰石薄 2 2 离子柬溅射沉积 膜毋层进行了是扯 x射线衍射和琏射电筏培果是明谊薄膜涂 层为非晶态；红外光谱中无轻基(OH )特征峰存在，c0 枉吸 收峰的出现说明制备过程中畚引入 co 根：扫描电镜观察结 果显示出制备的羟基磷灰石薄膜涂层致密、均匀；划痕实验结果 表明案层与铁基体 的结合紧密。州上结果表明，离子束溅射 沉积披采可以用于沉积羟基磷盘石薄膜案层铁种植材料．制备 修复休和生属种植体。 关键词： 羟基磷灰石津层；钛基体；种植材料；微观结构；离子 … 置 离化 Ar 束轰击样品表面 啊甥、 Fig 1 Schemat删i 30min． 保证沉程前弹品表 面洁净= 引言崧种4 呼计甥、 ， 鲫c diagram of 三 由于磷钙陶瓷如羟基磷灰石具 好的生物相窖性，钍及其 beam spu廿er dep0s|tbn 样品清涟后．旋转样品 台以保证溅射离子能沉积在 表面是获得综合性能优异的种植体材料较好的方法之一【卜 杖基本表面。溅射沉积条件为：1500eV×60mA×1 h，1200eV0 目前．有可能商业化的方法是等离子体喷涂法 但是，采用等离 40mAX 1 5h和900eV×20mA×3h，薄膜厚度大约为200～ 子体喷涂方法获得的羟基磷灰石涂层存在着诸如涂屡与基体结 25Onto。沉积完成时的靶室真空度为5 3～5 9 x 10 Pa。 合力不足、涂层不均匀等缺点¨]。而且，在实验室中，许多表面 2 3 捡测方法 处理方法都用来制备羟基磷灰石涂层，如电化学沉积、射频磁控 2 3 1 x射线衍射(XRD) 溅射、激发激光沉积和脉冲激光沉积等l5 采用X射线衍射检测沉积薄膜的结构。x射线衍射仪为： 离子柬溅射沉积技术是刚刚被用于制各生物陶瓷涂层的一 Rigaiku D／max一tA x射线衍射仪；CuK~，40keV，50～80mA。 种新方法 在此过程中，离子化的氩气离子溅射出陶瓷靶中的 2 3 2 透射电镜(TEM) 娘子，溅射出的靶原子沉积在金属基体表面。离子束溅射沉积 为了进一步了解沉积薄膜的结构，对沉积薄膜进行了透射