十无机纳米晶须.ppt

* * 无机纳米晶须及其应用 无机纳米晶须的发展历史 无机纳米晶须的合成机理 无机纳米晶须在复合材料中的作用机理及用途 无机纳米晶须种类 无机纳米晶须应用展望 主 要 内 容 晶须是一种纤维状单晶，横断面近乎一致，内外结构高度完整，长径比一般在5～1000以上，直径通常在20nm ～100μm之间，但具有特殊性质的晶须直径通常在1 ～10μm之间[1]。 [1]无机晶须，化学工业出版社，2005年6月，第一版 什么是晶须？ 1661年，Robert Boyle 在 ”The Sceptical Chemist” 中首次认 识银晶须自发生长的现象。 20世纪60年代初开发了金属氧化物、碳化物、氮化物、卤化 物等晶须实验品。 1965年，开发出强度比Al高6倍的Al2O3(w)/Al复合材料，强度 比塑料高10倍的Al2O3 (w)/塑料复合材料。 1992年，中科院盐湖所由高世扬院士领导的课题组开始从事 晶须合成条件和机理的研究。2000年，完成了“年产100吨硼 酸铝晶须工业性实验”等项目。 无机纳米晶须的发展历史 晶 须 的 生 长 机 理 螺旋位错生长机理 1958年，由 F.C.Frank提出。该机理适宜于解释液相及气相中晶须 的生长过程。 VLS生长机理 20世纪60年代，由Shyne和Milewski提出。该机理适宜于解释气相中 晶须的生长过程，许多有价值的晶须如α-Al2O3 、B 、GaAs、 Ge、 GaP、 MgO、 NiBr2、 NiO、 Se、 Si 和SiC等皆以VLS机理生长。 其它生长机理 晶须毒化诱导生长机理；晶须结构各向异性诱导生长机理；晶须开 裂生长机理；扩散控制生长机理等。 反应体系中存在的催化剂液滴是气体原料和固体产物的媒介。气相原料分子在低于二维成核临界过饱和点（P/Pe)crit的条件下通过气-液界面输入到小液滴中，使小液滴成为含有晶须气体原料的熔体，当熔体达到一定的过饱和度时析出晶体并沉积在液滴与基体的界面上。随着气源的连续供给，晶须连续长出，而将小液滴抬起，直到生长停止，最后小液滴残留在晶须顶端。 基体 液相 气相 气相 VLS生长机理 晶 须 的 生 长 机 理 晶须 1 2 3 4 5 ⑤在界面处生长成固态晶须 蒸气 界面 液相 晶须 VLS生长机理 ①气相分子向液滴扩散 ②气相分子在催化剂液滴上发生多相 化学反应生成晶须新相 ③反应副产物由液滴扩散进入气相 ④气相分子或新相通过液滴输送到界面 晶须生长途径 固相中生长 有压力诱导生长，沉积生长和固相解理生长方式。 硬质基体 挤压 应力诱导生长晶须 液相中生长 有冷凝或蒸发， 诱导或毒化，电解，晶化， 化学解理， 从凝胶中生长和 熔融生长方式。 晶须生长途径 - + - + 电解液中晶须的生长 气相中生长 有蒸发—凝结，气相输送+化学反应生长方式。 晶须生长途径 硅源 Si+SiO2 SiO +N2+H2 Si3N4+H2O 晶须 CO 碳源 晶须生长区 氮化硅晶须气相反应生长原理 硅系晶须 碳化硅晶须、氮化硅晶须 SiC1250S SiC1300S [2] Zhuxian Yang, Chem. Mater. 2004, 16, 3877.University Peking, surface area :119 m2/g surface area :145 m2/g 晶 须 种 类 SEM micrograph of as-extruded SiCw/ZK60 SiC whiskers in SiCw/ZK60 composite aligned with the tensile [3] Yan Feng.Scripta Materialia 2005, 53 , 361.Harbin Institute of Technology 硅系晶须 碳化硅晶须 晶 须 种 类 2. 氧化物晶须：氧化锌、氧化镁、氧化钛、氧化锡晶须、氧化铜晶等 SEM images of ZnO samples prepared at 180℃. HRTEM image of cluster ZnO whiskers [4] Changyou Liu et al. Materials Letters ,2005.Peking University, 晶 须 种 类 2. 氧化物晶须 氧化锌 SEM image of ZnO whisker grown on