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清华大学学报 自然科学版 年 第 卷 第 期
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用于 无源器件的氧化多孔硅隔离层技术
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陈忠民 刘泽文 刘理天
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清华大学 微电子学研究所 北京
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摘 要 为了提高片上射频 无源器件的性能 可以利 个人射频通信应用需求的不断增长推动了射频
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用氧化多孔硅厚膜隔离硅衬底来降低硅衬底的高频损耗 通
技术与超大规模集成电路技术 的相互融合
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过采用 建模对共面波导传输性能的分析 计算
’()(*+,(’- % 采用硅技术实现单片微波集成电路 的制造
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了不同厚度的氧化多孔硅隔离层硅衬底的损耗 结果表明氧
能够提高射频通信系统的性能 降低系统功耗 缩小
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化多孔硅 隔离层能够极大地降低硅衬底在高频条件
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系统体积B$=*C 与 等微波衬底材料相比 硅衬
L I7T1 =
下的损耗 0
实验制备过程中采用电化学阳极氧化法在 衬
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底有着价格低廉 工艺成熟 导热性好 有源
A A A
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底上制备了多孔硅厚膜 继而将孔隙度大于
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