基于PSpice的SiC MOSFET的关键参数建模.pdfVIP

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2017-11-03 发布于上海
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基于PSpice的SiC MOSFET的关键参数建模.pdf

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第49卷第4期电力电子技术 V01．49。No．4 2015年4月 PowerElectronics 2015 April MOSFET的关键参数建模基于PSpice的SiC 彭咏龙，李荣荣，李亚斌 (华北电力大学，电气与电子工程学院，河北保定071003) 摘要：分析研究了SiC金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)各参数与其动、静态特性的内在关系，提出了 MOSFET建模新方法。通过引入电压控制电压源对栅极阈值电压进行补偿修正，采用两一种基于PSpice的SiC 种不同的结电容模型描述各端电压不同而带来的结电容的变化，并同时增加了MOSFET的漏源电阻、栅极电阻随温度变化的变温度子模型。新模型可全面准确反映SiCMOSFET的动、静态特性，为SiCMOSFET的开关过程分析、损耗计算及主电路设计提供了重要依据。关键词：金属氧化物半导体场效晶体管；建模：动、静态特性中图分类号：TN32 文献标识码：A 文章编号：1000—100X(2015)04-0054—03 SiCMOSFET Basedon Parametersof Modeling Key PSpice PENG Ya—bin Yong—long，LIRong—rong，LI ChinaElectricPower (North University，Baoding071003，China) Abstract：This thevarious studiedSiCmetal—oxide-semiconductorfield·effecttransistor paperanalyzes parameters its staticand characteristicsintrinsic a theSiCMOSFET-based (MOSFET)with dynamic relationshippresentsPSpice a controlledsourceE-doorthreshold to forex- modelingmethod．Byintroducingvoltage voltage voltagecompensate treme twodifferent modeldescribesthe aboutvariousdifferent correction，usingjunction changesbrought capacitance terminal junction and increasestheMOSFETdrain—sourceresistanceofthe re- voltage capacitancesimultaneously gate sistancevariationwith the ofthesub—models．Thenewmodelcan reflect