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IC生产中关键参数SPC管理方法探究摘要：随着IC产业日新月异的发展，IC产品的生产工艺也日益复杂化，如何做好这复杂工艺过程的SPC管理是一个非常值得探究的问题。文章以实际数据为例，用不同方法对IC生产中关键参数的SPC管理方法包括控制图的选用、控制界限及过程能力指数的计算方法等进行了分析和探究。 关键词：IC生产；关键参数；SPC控制图 中图分类号：TN305 文献标识码：A 文章编号：1009-2374（2013）15-0046-03 统计过程控制（SPC），其核心内容是控制图的应用和过程能力分析，高效的SPC管理在提高产品质量、提升企业竞争力和客户满意度的过程中发挥了举足轻重的作用。要做好在生产过程中出现的大量与质量监控相关的数据的SPC管理，除了借助SPC软件外，还要对数据进行分析研究，探索高效合理的SPC管理方法，以确保产品质量满足客户的需要。 1 IC生产中SPC管理的对象参数 IC产品的生产与其他产品的生产不同，其制造工艺比较特殊也非常复杂，而且工艺流程很长。对于这么复杂的工艺和这么长的工艺流程，关键要确定各工序所需管控的对象参数。整个流程中的对象参数，一般可分为如下三类：（1）制品参数：是指直接在制品上测定的项目，如：膜厚、线宽和特性参数等，一般被称为关键参数；（2）工艺参数：是指与制品相关的工艺测定项目，如：颗粒、刻蚀速率以及反射率等；（3）设备参数：是指与设备相关的测定项目，如：气体流量、压力、温度和功率等。 2 关键参数SPC管理方法的探究 根据参数类型的不同，采用的SPC管理方法也不同。IC生产中的关键参数，最直接关系到产品的质量和客户的满意度，要做好这些参数的SPC管理就显得尤为重要。为深入探讨IC生产中关键参数的SPC管理方法，首先调查了关键参数抽样方式和数据的子组方式，发现IC产品比较特殊，与一般产品主要存在如下的差异： 对于上述的差异，IC产品的关键参数究竟应采用什么控制图？控制图的控制界限应如何设置？过程能力分析的标准偏差该如何计算？围绕这些问题，下面以某产品关键参数的线宽Etch CD为例来分析比较IC生产中关键参数所采用的不同的SPC管理方法。 已知：该Etch CD的规格为0.29±0.028，每个lot抽取2枚wafer测定，每枚wafer上测量5个不同的位置。若该CD某月共有26个lot，可得26组实测数据（略）。 2.1 业界通常的管理方法 2.1.1 控制图控制界限的设定。 业界通常用3个图，即-R控制图和全点控制图进行管控，控制界限的设定各企业不同。其中的-R控制图，图用于控制lot的平均值，即各lot的10点的平均值，R图用于控制lot内的变差，即1个lot中10点的最大值与最小值的差。 控制界限的设定，我们公司为确保产品的关键参数On target以提高Cpk，将控制图的中心线CL设为规格的目标值，标准偏差σ以近期值计算的标准差。 在本例中，规格的目标值为0.29，按各lot的均值算得σ=0.0049；查计量控制图控制限的系数表，D4=2.1≈2；D3=0）则： 2.1.2 过程能力指数的计算。 据了解，目前业界有两种算法： （1）我们公司的SPC软件是根据图中各lot的平均值来计算σ的，在本例中： AVE=0.2977，σ=0.0049，按照过程能力指数的计算公式，得Cp=1.98，Cpk=1.38。 （2）有些公司是按各lot所有点的值的样本标准差来计算σ的，在本例中： AVE=0.2977，σ=0.0063，按照过程能力指数的计算公式，得Cp=1.47，Cpk=1.07。 比较前后两者Cp和Cpk的计算结果，存在一些差异，说明过程有些偏离中心。再比较上述两种方法的计算结果，前者的σ只考虑了lot间的变差，而后者则包含了所有点的变差，因此，后者的σ相对较大，Cpk则要比前者的小，后者的Cpk与方法四的Ppk相同。若控制图的控制界限也按所有点算得的这个σ值来设的话，就会导致过宽，则不易探测出过程的异常。 2.2 按照一般产品-R控制图的管理方法 2.2.1 控制图控制界限的设定。 按照书上一般产品的控制图的管理方法，若将本例看成子组n=10，则画出-R控制图（见图1）。查计量控制图控制限的系数表得A2=0.308，D4=1.777，D3=0.223，并根据-R控制图的公式，控制界2.2.2 过程能力指数的计算。 σ按照计算公式，且d2查表，得： 从图1看，由于该项目lot内的变差R较小，导致过低估计了过程的标准差，使很多点都落在控制界限外，显然不合适。由于只考虑了lot内的变差，σ值较小，因此算得的Cpk也较大。