光电检测 技术 第一章 光电检测应用中的基础知识.ppt

光电检测技术 内光电效应 光电导效应 光生伏特效应 外光电效应 光电导效应 光生伏特效应 外光电效应 光电发射定律 在光线的作用下，物体内的电子逸出物体表面向外发射的现象称为外光电效应，也叫光电子发射效应。向外发射的电子叫光电子。 当电子从光子吸取的能量大于逸出功A0时，电子就能逸出表面，产生光电子发射。 光电发射第二定律：当辐射的光谱分布不变时，饱和光电流与入射的光通量Φ成正比： 光电子发射过程可以归纳为以下三个步骤 物质的逸出功和红限频率 当光电子的速度等于零，即光电子的动能为0时，有 半导体材料的阈值波长 对于半导体，一般情况下，能够有效吸收光子的电子大多是处在价带顶附近，所以光电子发射的逸出功为： 式中Eg是半导体禁带宽度，EA称为电子亲和势。即半导体材料光电发射的能量阈值为 所以长波限为 式中：h＝4.13× 1015eV·s，是普朗克常数；c＝3×1014，是光速。 半导体材料的阈值波长　　　　　 1.2.3 半导体中的非平衡载流子 非平衡载流子--- 通过注入或光激发方式使载流了浓度超出热平衡时的浓度，这些超出的载流子通常称为非平衡载流子，或过剩载流子。 1.半导体材料的光吸收效应 1）本征吸收 价带 导带 常温光照时 价带 导带 常温无光照时 Eg 要发生光电导效应，必须满足： 单位是μm 2）杂质吸收 N型半导体： 价带 导带 低温无光照时 Ed 价带 导带 低温有光照时 价带 导带 低温无光照时 Ea 工作时温度要低---防止热激发 价带 导带 低温有光照时 P型半导体： 2. 非平衡载流子浓度 光照射半导体时： 载流子的浓度增加 停止光照射后： 由于复合，载流子的浓度不断的减少，直到热平衡 复合方式有 直接复合---导带中的电子直接回到价带填充空位 间接复合---通过“缺陷、错位、杂质”等形成的复合中心复合 价带 导带 价带 导带 1.2.4 载流子的扩散和漂移 1.扩散 ------在某种作用下（如光照），使材料中的局部位置的光生载流子浓度高于其它地方的载流子浓度，这时载流子就从浓度高的地方向浓度低的地方运动，这种现象称为扩散 扩散形成电流的大小： 2.漂移 ------在电场做用下电荷的移动 对于空穴导电 2.总电流 电子 空穴 总电流 1.3 基本定律 1.3.1 黑体辐射定律 黑体：有一类物体其表面不反射光，它们能够在任何温度下吸收射来的一切电磁辐射，这类物体就叫绝对黑体。 吸收比: 模拟黑体： 反射比: 1. 基尔霍夫定律 2. 普朗克辐射公式 常数 光谱发射率 短波区或温度不高的情况下 3. 斯忒藩-玻耳兹曼定律 700K 900K 400K λ(μm） 2 Me(λ,T) 4 6 8 短波区或温度不高的情况下 一定温度下总的辐射出射度 4. 维恩位移定律 Me(λ,T) 1.3.1 光电效应 当半导体材料受光照时，由于吸收光子使其中的载流子浓度的增大，因而材料的电导率增大，这种现象称为光电导效应。 当半导体材料受光照时，由于吸收光子产生电子－空穴对，载流子浓度增大。其中，电子在结电场的作用下被拉到N区，同时空穴也在结电场的作用下被拉到P区，从而在结区两边产生势垒，这就是光生伏特效应。 爱因斯坦光电效应方程或光电发射第一定律 物体吸收光子后体内的电子被激发到高能态 被激发电子向表面运动，在运动过程中因碰撞而损失部分能量 克服表面势垒逸出金属表面 光电子能否产生，取决于光子的能量是否大于该物体的电子逸出功。这说明每一个物体都有一个对应的光频阈值，称为红限频率或长波限。 光线频率低于红限频率，其能量就不足以使物体内的电子逸出，因而小于红限频率的入射光，光强再大也不会产生光电子发射； 入射光频率如果高于红限频率，即使光线微弱，也会有光电子射出。 * * * 随着现代信息检测技术的发展，光子技术与微电子技术结合， 相互交叉、相互渗透与补充已经成为信息科学技术的主体之一, 具有越来越大的竞争力. 序 信息检测技术 光学检测技术 电子检测技术 易与物质发生联系，传播速度快,频带宽，信息容量大 易存储，可转移，好控制 光电检测技术 第一章 光电检测应用中的基础知识 被测对像 光学系统 光电转换 被测对象的信息加载 光源 信息载体 光电探测器 信息处理 光电检测系统组成： 放大 边缘检测 电动机驱动 门控 处理 主振 激光外径扫描仪原理图 例： §1.1 辐射度学和光度学基本概念 紫外辐射 可见光辐射 X光辐射 红外光辐射 电磁辐射 红、橙、黄、绿、青、蓝、紫 (100~380nm) (380~780nm) （10~100nm) (780nm~1mm) 1.辐射度学 对各种电磁辐射进行定量评价的一门科学 评价对象：电磁辐射 2.光度学 评价对象：可见光辐射