半导体中相干控制光电流对光场的偏振依赖性.PDFVIP

__________________________________________________________________________ 半导体中相干控制光电流对光场的偏振依赖性* 刘鲁宁 寿倩 雷亮 林春梅 赖天树 文锦辉 林位株  （中山大学理工学院/光电材料与技术国家重点实验室，广州 510275 ） Email: stslwz@ 采用黄金定则方法和Kane 六能带模型，分析了半导体中的量子干涉控制光生电流效应。 计算了不同偏振光场下载流子在动量空间的初始布居，从微观上阐明了相干电流对光场的偏 振依赖特性。在平行线偏振情况下，相干电流方向沿光场的偏振方向；而在正交线偏振情况 下，电流方向与倍频光的偏振方向相同。并证明了只当单光子跃迁和双光子跃迁相平衡时， 才能获得最大的电流注入效率。 关键词：量子干涉 光电流 线偏振光 1 引言 近年来，在半导体中产生相干控制光电流的研究引起了人们的广泛关注，已成为相干控 制研究的重要部分[1] 。它以激光的相位为控制参量来实现对光电流的大小和方向的控制。多 伦多大学的A.Hache利用两束相位相关的基频光和倍频光在无搀杂半导体体材料（GaAs和 LT-GaAs ）中实现了相干电流的光学注入与控制[2] 。其原理为：用相位相关的基频光和倍频 光激发半导体样品，利用单光子跃迁和双光子跃迁的量子干涉效应，引起光生载流子在动量 空间的不对称分布，宏观上表现为电流效应。M.J.Satevens等还用两束圆偏振光在LT-GaAs 中注入了自旋极化的相干电流[3] 。 在理论方面，R.Atanasov利用全能 带数值模型计算了GaAs 中相干控制光 电流的注入张量[4] ，但由于其采用了数 值模拟的方法，文中结果的物理图象不 够清晰。M.S.Bahae采用缀饰态波函数和 简单的三能带模型，以解析形式分析了 相干电流的偏振依赖特性，提供了干涉 电流的清晰的物理图象[5] ，但由于其所 用能带模型过于简单，文中某些结论与 实验不符。 图1 Kane 能带模型和量子干涉效应示意图，重 本文利用自旋态简并的 Kane 六能带 空穴 （hh ）、轻空穴(lh)和导带(c)为两重自旋简 模型，对单、双光子跃迁所引起的量子干 并带，插图所示为光场和样品的取向关系 * 国家自然科学基金 （批准号10274107）和广东省自然科学基金（批准号：011204 ，2002B11601） 资助项目   通信作者 1 中国科技论文在线_________________________________________________________________________ 涉效应进行了讨论，详细分析了不同偏振光场下的相干控制电流效应。计算了不同偏振光场 下载流子在动量空间的初始布居，从微观上阐明了相干电流对光场的偏振依赖特性。并证明 了只当单光子跃迁和双光子跃迁相平衡时，才能获得最大的电流注入效率。 2 单光子跃迁和双光子跃迁的计算 假设所取研究系统带边附近的能带结构可以较好地由Kane能带理论描述[6]，其由一个导 带和两个价带组成，两个价带分别为轻空穴带（lh ）和重空穴带(hh) ，如图1 所示。导带、 重空穴带以及轻空穴带均为两重自旋简并带。入射光场由两束相位相关的基频光和倍频光组 成，垂直于晶体的面正入射，且光子能量满足E / 2 hωE ，E 为材料的禁带宽度， g g g () −iωt −i 2ωt 即