真空镀膜详述.ppt

fff 辉光放电现象的物理特性 Aston暗区：低能电子和高能离子； 阴极辉光区：离子的退激发发光，阴极发射的二次电子与正离子发生复合所产生； 阴极暗区：电子和离子的加速区，形成的电压降近似等于靶电压； 负辉光区：二次电子与中性粒子相互作用，产生电离和激发，电位梯度接近于零； 法拉第暗区：电子损失了能量，激发和复合的几率很小，形成暗区； 正柱区：等离子体区，电子密度与正离子密度相等，场强比阴极小几个数量级，所以带电粒子主要是无规则运动； 正辉光区：电子被阳极吸收，离子被排斥，形成负的空间电荷，形成阳极电位电子在阳极区被加速，在阳极前产生激发和电离； 阳极暗区： 溅射原理-辉光放电 溅射原理-辉光放电 辉光放电过程中电子的碰撞 等离子体中高速运动的电子与其他的粒子的碰撞时维持气体放电的主要微观机制。碰撞分为两大类：弹性碰撞与非弹性碰撞。 ◆弹性碰撞： 参加碰撞粒子的总动能和总动量保持不变，并且不存在粒子内能的变化，即没有粒子的激发、电离、或复合过程发生两个例子发生弹性碰撞过程中，运动的能量为E1的粒子1把部分能量转移给静止着的粒子2，碰撞后粒子2 的能量E2满足如下关系： M —粒子的质量 Θ—碰撞前粒子1的运动方向与碰撞后粒子2运动方向间的夹角 对于辉光放电等离子体中的碰撞电离的过程来讲，这相当于高速运动中的电子与低速运动中的原子、分子或离子的碰撞。只是M1﹤﹤M2，因而每次的碰撞中发生的能量转移是极小的。只有在经过很多次的碰撞之后，重粒子能量才会显著增加。只是造成辉光放电等离子体中重粒子能量远小于电子能量的又一个原因。 溅射原理-辉光放电 溅射原理-弧光放电 弧光放电特性： 一般弧光放电是由异常辉光放电的电流密度很大时，离子强烈轰击阴极表面，使阴极局部过热，达到发射热电子的条件而发射大量的热电子。使空间电阻降低，极电压陡降，电流突增，辉光放电过渡成弧光放电。 热电子或 场致电子 正离子轰击 表面发射 阴极发射 电子的过程 局部弧斑 整个阴极表面 发光部位 强 弱 发光强度 数百A/cm2 mA/cm2 电流密度 数十 数百 电压/V 弧光放电 辉光放电 放电参数 弧光放电与辉光放电对比 溅射原理-压力和自由程 平均自由程 在一定的条件下，一个气体分子在连续两次碰撞 之间可能通过的各段自由程的平均值。 简便计算公式 （p的单位：hPa或mbar） 溅射原理-压力和自由程 压力和平均自由程对等离子体的影响 只在特定压力条件下存在等离子体 主要溅射参数-溅射产额 溅射产额 S=被溅射的原子数量/入射离子数量（E） 平均每个入射粒子从靶表面溅射出来的原子数， 也称作溅射率或溅射额度。 取决于 轰击离子的能量 入射角 入射离子原子序数 压强 ※溅射产额与入射离子能量的关系 Threshold Ion Energy（E） Sputter rate（S） 当入射离子能 量在几十keV时 ，溅射产额最大 主要溅射参数-溅射产额  60° 30° 90° 0 S (? ) U (S? ) ※溅射产额与入射角度的关系 主要溅射参数-溅射产额 入射角：靶平面发现与入射离子束的 夹角，记为? 溅射率：记为S 相对溅射率：在单位离子束电流密度下，单位时间加工表面的减薄量，记为U (S? ) 入射方向与样品法向的夹角为60o~ 80o时，溅射产额最大 主要溅射参数-溅射产额 溅射产额与入射角的关系 溅射产额与入射离子能量的关系 例： 主要溅射参数-沉积速率 静态沉积速率 在静态沉积过程中（基片不动），单位时间t内，沉积 到基片上的平均膜层厚度d。 动态沉积速率 沉积到运动速度为v的基片上的平均膜层厚度d。 磁控溅射 没有影响电子运动轨迹的磁场存在 溅射速率很低 放电电压较高（500 V） 由于高能电子的轰击，基片温度骤然增加（500 ℃） 磁控溅射 设置磁场，束缚电子运动轨迹 提高溅射速率 放电电压较低（300－600 V） 基片温度低 磁控溅射 在此区域，电离程度更高， 离子对靶表面的轰击增加， 靶表面形成刻蚀区（溅射区）。 电子主要在两磁极间的轨道内，以螺旋的形式运动，并平行于靶表面。 磁控溅射 磁控溅射的生产，需要使用下面两种材料 溅射气体 溅射靶材 平面靶 旋转靶 工作气体 Ar 工艺气体O2、N2 反应溅射 金属模式： 薄膜主要是金属 靶材不被氧化 过渡模式： 反应不断增加 薄膜变的越来越透明 反应模式： 几乎所有的金属原子都被氧化了 薄膜透明，氧气过剩，靶材表面被氧化 孪生靶阴极 阴极外界被镀（阳极消失） 靶表面被镀（靶中毒） 靶材与阳极表面导电性能恶化（打火） 绝缘材料溅射或反应溅射过程中，会产生如下问题 孪生靶阴极 正负电极不断交换，靶表面不断放电，避免弧光放