净化与硅片清洗.ppt

集成电路工艺原理 仇志军 zjqiu@ 9 (username password: vlsi) 邯郸路校区物理楼435室 助教：沈臻魁 072052045@ 杨荣 072052028@ 邯郸路校区计算中心B204 SiGe-gate/high-k/SiGe pMOSFETs 清洗容器和载体 SC1/SPM/SC2 – 石英（ Quartz ）或 Teflon容器 HF – 优先使用Teflon，其他无色塑料容器也行。 硅片的载体 – 只能用Teflon 或石英片架 清洗设备 超声清洗 喷雾清洗 洗刷器 水清洗＋干燥 溢流清洗 排空清洗 喷射清洗 加热去离子水清洗 旋转式甩干 IPA异丙醇蒸气干燥 湿法清洗的问题（1） 表面粗糙度：清洗剂、金属污染对硅表面造成腐蚀，从而造成表面微粗糙化。SC-1中，NH4OH含量高，会对硅造成表面腐蚀和损伤。 降低沟道内载流子的迁移率，对热氧化生长的栅氧化物的质量、击穿电压都有破坏性的影响。 Ra(nm) Mixing ratio of NH4OH(A) in NH4OH+H2O2+H2O solution (A:1:5, A1) 降低微粗糙度的方法： 减少NH4OH的份额 降低清洗温度 减少清洗时间 Wu et al., EDL 25, 289 (2004). Surface roughness (nm) Surface roughness (nm) 不同清洗（腐蚀）方法与表面粗糙度 Surface roughness (nm) Ebd (MV/cm) 表面粗糙度降低了击穿场强 颗粒的产生 较难干燥 价格 化学废物的处理 和先进集成工艺的不相容 湿法清洗的问题（2） 干法清洗工艺 气相化学，通常需激活能在低温下加强化学反应。 所需加入的能量，可以来自于等离子体，离子束，短波长辐射和加热，这些能量用以清洁表面，但必须避免对硅片的损伤 HF／H2O气相清洗 紫外一臭氧清洗法（UVOC） H2／Ar等离子清洗 热清洗 372.065.1.01 集成电路工艺原理 第二讲 净化与硅片清洗 第一讲 前言 第二讲 实验室净化及硅片清洗 第三讲 光刻原理 1 第四讲 光刻原理 2 第五讲 热氧化原理 1 第六讲 热氧化原理 2 第七讲 扩散原理 1 第八讲 扩散原理 2 第九讲 离子注入原理 1 第十讲 离子注入原理 2 第十一讲 薄膜淀积原理 1 第十二讲 薄膜淀积原理 2 第十三讲 薄膜淀积原理 3 第十四讲 刻蚀原理 第十五讲 接触和互连 第十六讲 工艺集成 第十七讲 前瞻性工艺研究 上节课主要内容 CMOS工艺流程： LOCOS隔离 P阱、N阱 沟道（VT调节） 栅氧化及多晶栅 边墙及源漏 接触、互连 光刻、氧化、扩散、离子注入、淀积（LPCVD，PVD） 、刻蚀、界面反应 硅技术的历史沿革和未来发展趋势： 晶体管的诞生 集成电路的发明 平面工艺的发明 CMOS技术的发明 摩尔定律（Moore’s law） VLSI、SoC、SIP Constant-field等比例缩小原则 ITRS：技术代/节点 p 16块光刻版（2 层互连） 100个步骤 典型CMOS工艺举例 Modern IC factories employ a three tiered approach to controlling unwanted impurities（现代IC fabs依赖三道防线来控制沾污） 三道防线: 净化环境（clean room） 硅片清洗（wafer cleaning） 吸杂（gettering） Factory environment is cleaned by: HEPA filters and recirculation for the air. “Bunny suits” for workers. Filtration of chemicals and gases. Manufacturing protocols. HEPA: High Efficiency Particulate Air 1、空气净化 From Intel Museum 净化级别：每立方英尺空气中含有尺度大于0.5mm的粒子总数少于X个。 0.5um 高效过滤 排气除尘 超细玻璃纤维构成的多孔过滤膜：过滤大颗粒，静电吸附小颗粒 泵循环系统 20～22?C 40～46％RH 由于集成电路內各元件及连线相当微细，因此制造过程中，如果遭到灰尘、金属的污染，很容易造成芯片内电路功能的损坏，形成短路或断路，导致集成电路的失效！在现代的V