UHVCVD法生长硅基碳化硅薄膜研究.pdf

UHV-CVD法生长硅基碳化硅薄膜研究* 章国强 黄靖云 斤震 汪雷 卢焕明 袁骏 赵炳辉 叶志镇 浙汕_挤、学砰材料国家重点实验室 杭州 310027 【摘要】 碳化硅是目前宽带隙半导体材料研究的热点之一。它具有禁带宽度大，热导率 高，电子的饱和漂移速度大，临界击穿电场强度高和介电常数低等特点。在高频、大功率、 耐高温、抗辐射的半导体器刊及紫外探测器和短波发光二极管等方面具有广泛的应用前 景。本文报道了使用超高真空化学气相沉积法(UHV-CVD)生长硅基碳化硅薄膜，使用 X 射线衍射、X射线光电子能谱和傅立叶红外吸收光谱分析手段对薄膜的组分及结构进行了 研究 ‘ C关键词] UHV-CVD 碳化辞 t}膜研兀 一、引言 随着半导体器件设计理沦与制造技术的发展，硅器件的工作性能己愈来愈趋近于由 其材料特性决定的理论极限，碳化硅以其在禁带宽度、临界击穿电场强度、电子饱和漂移 速度以及热导率等方面相对于硅的较强优势而作为一种具有潜在应用价值的半导体材料备 受关注，’2，。由于碳化硅晶片十分昂贵，利用硅晶片作为衬底外延生长 3C-SiC 的1作受 到特别重视[3“·’】在众多碳化硅的同质异形体中，只有3C-SiC与硅同属立方晶系，且为 闪锌矿结构，有可能在硅V底上实现低缺陷密度的异质外延生长。走这条技术路线，还可 将碳化硅的潜在应用优势 。‘已经发展成熟的硅 }_艺技术有机的结合起来 在群衬底 卜外延生长3C-SiC 是以某种气态碳氢化合物与砖烷的混合气作为生长源， 采用两步 CVD法进行的Ill所谓两步法，就是在通入混合气进行外延生长之前，先将硅 衬底暴露在单一的碳氢化合物气氛中进行数分钟表面碳化处理，然后从碳化层表面，而非 直接从硅农面，汗始3C-SiC薄层的外延。 目前国内一般采用高温常压CVD法生长碳化硅，温度为1100-13000C。本文报道了 我们使用超高真空化学气相沉积法，fl:850℃时，以CA.SiH;为源在Si(100)晶片上 低温生长3C-SiC薄膜的 liL初步实验结果 本课we为国家b然科学基金q人项H,jfl家H然科学基金资助课题。 作者简介:章国强 另，硕士训究生，75年3月生，从事硅基半导体薄膜材料研究 一162 ) 二、实验 本实验外延生民使用的设备是UHV/CVD系统，该系统由生长室、进样室和气路二部 分组成，详细资料见文献[7]。其中，加热系统经过改进后，衬底硅片温度场的均匀性得 到了提高。 为了获得洁净的衬底表面，我们采用了改进的RCA清洗方法，即在标准的RCA清洗 之后，衬底片放入进样室之前，再用 lO%HF酸对衬底漂洗，以除去表面的氧化层，并得 到富氢表面。生长温度为850C，生长结束后不进行热处理。衬底片为直径3英寸(约75mm) 的P(100)(电阻率:1552·cm)CZ-Si片。样品生长条件为:生长温度，8500C,SiH。流 量3SCCM,CA流量2SCCM:生长时间，200分钟。 为了研究薄膜的组分与结构，对薄层进行了X射线衍射(仪器型号:菲利浦PC/APD), X射线光电子能谱和傅立叶红外吸收光谱分析(仪器型号:AVATAR360，分辨率，4cm-)o 三、实验结果及分析 图1为47样品的X射线衍射语图，图中一个明显的衍射峰分别之L}现29=32.9、 35.6、41.5。处。其中2。=35.6 的峰，由实验X射线的波长(Cu靶K}，线，X=0.15406 nm)可以算得衍射面的面问距为 。.251812nm，按衍射面为 (111)面计算，求得该种碳 化硅的晶格常数为0.43615nm,1(112)(=41.5 的峰，同上可算得衍射面的面间距为0217345 nm，按衍射面为 (200)计算，同样求得其品格常数为 。.43615nm。这与3C-SiC的ASTM 片片 (NO.29-1129)中列出的晶格常数0.43589