第三章 FET-1-2009.ppt

MOSFET的阈值电压VGS(th) 指的是增强型MOSFET金属栅下面的半导体表面呈现强反型，从而出现导电沟道时所需的栅源电压。由于阈值电压是决定MOSFET能否导通的临界栅源电压，因此它是MOSFET非常重要的参数。 从使用的角度上来说，希望VGS(th)小一些好。 理想MOSFET的阈值电压 VOX表示在栅氧化层上的压降； ψS为表面势，作用在半导体表面，使表面能带弯曲。 呈现强反型的条件： 其中，COX为栅氧化层单位面积电容量； εOX为SiO2的介电常数， τOX是栅氧化层厚度。 其中，ψB=（Ei-EF）（半导体体内）/q，称为费米势。 二、伏安特性 X Y Z VDS VGS l 我们以N沟道MOS为例，推导其伏安特性。 为便于分析，做如下假设： 1、沟道电流为漂移电流； 2、反型层中电子迁移率μn为常数； 3、反向截止电流为零； 4、沟道中任一点y处的横向电场Ey远小于该处的纵向电场Ex。即满足缓变沟道近似。 5、栅氧化层中无电流。 6、VGS≥VGS(th)；0≤VDS≤VDS(sat) VDS W——沟道宽度； l ——沟道长度； xi ——反型层厚度。 l S D G VGS + VOX + - ID y + - V(y) VDS + ψs(y) + - （1）线性区： * * 第三章 场效应管 FET( Field Effect Transistor ) 沟道长度L 氧化层厚度d 沟道宽度W 结深度rj 衬底的掺杂浓度NA MOSFET（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，金属-氧化物-半导体场效应晶体管）的其他缩写： IGFET（insulated-gate field-effect transistor，绝缘-栅极 场效应晶体管） MISFET（ metal-insulating-semiconductor field-effect transistor，金属-绝缘体-半导体 场效应晶体管） MOST（ metal-oxide-semiconductor transistor，金属-氧化物-半导体 晶体管） 四端结构： 氧化层上方的金属为栅极（gate），高掺杂和金属硅化物（WSi2）的多晶硅。 在p型半导体上的两个n+区域（源极和漏极）。 连接到衬底的欧姆接触。 世界上第一个MOSFET （照片由Bell实验室提供） 对于先进的集成电路而言，最重要的器件是MOSFET （metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管），它首先是由Kahng和Atalla于1960年报道的。上图给出了使用热氧化硅衬底制成的第一个器件的照片。该器件的栅极长度为25μm，栅极氧化层的厚度为100nm。两个类似锁眼的孔是源极和漏极的接触之处，表面狭长的区域是利用金属掩模淀积出的铝栅极。虽然当前MOSFETs器件已缩小到深亚微米的范围，但是第一个MOSFET所采用的硅衬底和热生长得到的硅氧化层，依然是最常用、最重要的选择。MOSFET和与之相关的集成电路目前已占到整个半导体器件市场90%的份额。 世界上最小的積體電路： 2003年5月19日，日立公司在東京稱，歐洲中央銀行考慮採用該公司生產 的世界上最小的積體電路防止歐元盜版。這張照片中顯示的手指上的一個 黑點和一個白點就是這種微型積體電路 微处理器 制作工艺 主频/外频 二级缓存 40486 0.5微米 50MHz 无 Pentium 0.35微米 133MHz 无（主板外置） PentiumII 0.25微米 333MHz 512KB（芯片外置） PentiumIII 0.18微米 750MHz 256KB Pentium4 0.13微米 2.6GHz 512KB Pentium4 90纳米 3.0GHz/800MHz 2MB Core 2 65纳米 2.93GHz/1066MHz 4MB Penryn 45纳米 3.66GHz/1333MHz 12MB (有8.2亿个晶体管) 22纳米工艺已实现突破 　　由于IBM阵营集中了全球主要半导体公司，通过合作，在22纳米工艺开发上进展迅速。2008年8月，他们首先发布了在美国Albany纳米技术研究室试制成功的22纳米SRAM芯片。其工艺技术有以下7个特点：高介电率栅极绝缘层/金属栅极，栅极长度小于25纳米的晶体管，薄隔离层，新的离子注入方式，尖端退火技术，超薄硅化物，镶嵌Cu触头。该芯片光刻采用了高数值孔径(h