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第九屈高功率粒予束学术交流会议文集
国产DBD开关性能初步测试
孙铁平 曾正中 丛培天
(西北核技术研究所，陕西，西安，710024)
摘要：延迟击穿开关(DBD)是一种新型半导体开关，它具有低抖动、高重复频率、不需外
触发等优点，能够有效的限制预脉冲，提高上升时间，可以应用于电磁脉冲源、触发源、高功
率微波、脉冲功率等诸多领域，发展前景十分广阔。本文着重介绍DBD开关的结构特点、丁作
原理和国外的研发应用状况，并对国产DBD开关的性能进行初步测试。在现有条件下，单管工
作lu压2．0kv，脉冲前沿1．32kV／ns，电流58．5A，峰值功率1．2Mw。
关键词：DBD，PIN二极管，延迟雪崩击穿
1．国外发展现状
DBD开关首先由俄罗斯圣彼得堡A．F．10ffe
Physiotechnical
开关性能，可以有效的限制预脉冲，提高上升时间，俄罗斯科学院电子物理学院、美国脉冲功率物
理公司和美国空军实验室都投入大量精力进行研发。目前其单管耐压可以达到3kV，输出脉冲前沿
的变化率可以达到17
230kV的脉冲电压，上升时间只有1．8ns，峰值功率1GW，重复频率3．5KHz(burst模式)。
管。新墨西哥电子工程大学的科研人员对其进行了实验测试。图二所示的是0．010cm‘大小的硅装置
在355ps内迅速达到其峰值电压。
图一俄罗斯DBD开关结构图 图二DBD开关的实验测量波形
图三所示的是延迟击穿开关阵列DBDs的外形结构图。它由俄罗斯科学院电子物理学院研制，
装置的总长度为105mm。
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第九届高功率粒予束学术交流会议文集
图三DBDs的外形结构 图四DBDs的实验电路
图四给出的是这种延迟击穿阵列的实验电路图。SM．3NS是一个同体短脉冲发生器，凡为50Q
油介质脉冲形成线，负载一般为电阻。这种脉冲发生器可以产生脉冲前沿上升率约为1kV／ns的冲
击脉冲，可以用来激励DBD开关产生一个延迟离子冲击波。对于50Q的电阻负载，延迟击穿开关
阵列DBDs的输出电压在4ns左右可以达到350kV，输出脉冲前沿的变化率可以达到87．5
kV／ns。
输山脉冲的重复频率取决于SM．3NS脉冲源的频率，在“burst”模式下大约为3．5kHz。
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